[发明专利]一种腔体谐振抑制结构及应用

权利要求书

1.一种腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述腔体谐振抑制结构用于抑制三维异构集成射频结构的腔体谐振；

所述三维异构集成射频结构包括内嵌有射频芯片的下层转接板、与所述下层转接板对位键合的上层转接板和设置在所述射频芯片上的片上传输线；所述上层转接板在与所述射频芯片相对应的位置设置有空气腔；

所述腔体谐振抑制结构包括依次设置在所述上层转接板的空气腔底部的电阻薄膜和谐振环族；所述电阻薄膜相比所述谐振环族更靠近所述上层转接板。

2.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述谐振环族由多个间隔均匀排布的谐振环组成；

所述谐振环的厚度小于10μm，和/或所述谐振环的宽度为50~100μm。

3.根据权利要求2所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

每相邻两个所述谐振环的间距为50~100μm。

4.根据权利要求1所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述电阻薄膜的厚度不大于0.5μm，和/或所述电阻薄膜的方阻为30~70Ohm。

5.根据权利要求2或3所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述谐振环族的周长变化范围覆盖需要抑制的腔体谐振频率对应的波长；和/或

所述谐振环的形状为圆环、椭圆环或多边形环。

6.根据权利要求1至4任一项所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述电阻薄膜由镍镉合金、钛、氮化钽中的一种或多种制成；和/或

所述谐振环族由铜和/或金制成。

7.根据权利要求1至4任一项所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述上层转接板和/或所述下层转接板的厚度为200~300μm；和/或

所述下层转接板中设置有用于内嵌所述射频芯片的空气腔，所述下层转接板的空气腔的深度与所述射频芯片的厚度相同；和/或

所述上层转接板的空气腔的深度为50~150μm。

8.根据权利要求1至4任一项所述的腔体谐振抑制结构，其特征在于：

所述腔体谐振抑制结构用于抑制三维异构集成射频结构的腔体谐振时，使得100μm厚的射频芯片上的5μm厚的片上传输线在40GHz以下频段的反射系数小于-30dB，传输系数大于-1dB。

9.包含权利要求1至8中任一项所述的腔体谐振抑制结构的三维异构集成射频结构。