[发明专利]高选择比氮化硅蚀刻液、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液组合物，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行，其特征在于，所述蚀刻液组合物由以下质量分数的组分组成：75％-85％的磷酸、1.0％-9.5％的化合物A和水，所述的质量分数为各组分质量占各组分总质量的百分比；

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种；

和/或，所述的磷酸的质量分数为77％、78％、81％、84％或85％。

3.如权利要求2所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，所述的氮化硅膜的厚度为

4.如权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的氧化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，所述的氧化硅膜的厚度为

和/或，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构。

5.如权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的层叠结构的层数为10～200层。

6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述的蚀刻液组合物由以下任一方案组成：

方案一：

所述的蚀刻液组合物由4.50％的化合物A、81％的磷酸和14.5％的水组成；

方案二：

所述的蚀刻液组合物由1.0％的化合物A、84％的磷酸和15％的水组成；

方案三：

所述的蚀刻液组合物由9.50％的化合物A、78％的磷酸和12.5％的水组成。

7.一种如权利要求1-6中任一项所述的蚀刻液组合物的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将所述的磷酸、所述的化合物A和所述的水混合，得所述的蚀刻液组合物即可。

8.一种如权利要求1-6中任一项所述的蚀刻液组合物在蚀刻氮化硅膜中的应用。

9.一种化合物A在制备用于蚀刻氮化硅膜的蚀刻液中的应用，所述的蚀刻在氧化硅膜存在下进行，其特征在于，所述蚀刻液由质量分数为75％-85％的磷酸、1.0％-9.5％的化合物A和水组成；

10.如权利要求9所述的应用，其特征在于，

所述的氮化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氮化硅膜；

和/或，所述的氮化硅膜的厚度为

和/或，所述的氧化硅膜为在图案化的硅半导体晶片上形成的氧化硅膜；

和/或，所述的氧化硅膜的厚度为

和/或，所述的氧化硅膜和所述的氮化硅膜为氧化硅膜和氮化硅膜的层叠结构。

11.如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述的蚀刻液由以下任一方案组成：

方案A：

所述的蚀刻液由4.50％的化合物A、81％的磷酸和14.5％的水组成；

方案B：

所述的蚀刻液由1.0％的化合物A、84％的磷酸和15％的水组成；

方案C：

所述的蚀刻液由9.50％的化合物A、78％的磷酸和12.5％的水组成。