[发明专利]一种太阳电池及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳电池，其特征在于，包括依次设置的背电极层、第一透明导电膜层、第一金属氧化物层、第一本征非晶硅钝化层、n型制绒晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、第二金属氧化物层、第二透明导电膜层和上电极层；

所述第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层分别为退火处理后的第一本征非晶硅钝化层和退火处理后的第二本征非晶硅钝化层；

所述背电极层为功函数梯度设置的背电极层；

所述退火处理在氢气气氛中进行；所述退火处理的气压为1～3Torr；

所述背电极层包括在所述第一透明导电膜层表面依次层叠设置的钙层、镁层和银层；

所述第一透明导电膜层为铪掺杂氧化铟薄膜；所述铪的掺杂量为0.5～10wt.％；

所述第一金属氧化物层的材料为氧化钛或氧化镍。

2.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述第二金属氧化物层的材料为氧化钼、氧化钒或氧化钨。

3.如权利要求1或2所述的太阳电池，其特征在于，所述第一金属氧化物层和第二金属氧化物层的厚度独立的为5～10nm。

4.如权利要求1所述的太阳电池，其特征在于，所述钙层和镁层的厚度独立的为5～10nm。

5.权利要求1～4任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在n型制绒晶体硅衬底的上下表面分别沉积第一非晶硅钝化层和第二非晶硅钝化层后，进行退火处理，分别形成第一本征非晶硅钝化层和第二本征非晶硅钝化层；

在所述第一本征非晶硅钝化层表面沉积第一金属氧化物层，在所述第二本征非晶硅钝化层的表面沉积第二金属氧化层；

在所述第一金属氧化物层表面沉积第一透明导电膜层，在所述第二金属氧化层的表面沉积第二透明导电膜层；

在所述第一透明导电膜层的表面制备背电极层，在所述第二透明导电膜层的表面制备上电极层，得到所述太阳电池。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，沉积所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层的方法为等离子增强化学气相沉积。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150～240℃，所述退火处理的时间为20～60min。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，制备所述背电极层包括制备钙层、镁层和银层；

制备所述钙层和镁层的方法独立的为磁控溅射法或热蒸发法；

制备所述银层及上电极层的方法为丝网印刷法。