[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。

关联申请

本申请以日本专利申请2019-203060号(申请日：2019年11月8日)作为基础申请享受优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

在半导体装置中，存在使处理电力控制电路等大电流的电路与处理信号处理电路等小电流的电路混合存在的情况。在这种半导体装置中，存在在大电流电路中产生的噪声影响小电流电路的动作的情况。因此，提出了在大电流电路的周围设置保护环区域从而与周围电分离的技术。

然而，即使在大电流电路的周围设置保护环区域，也存在噪声漏泄到保护环区域的外部，干扰到周围的小电流电路的情况。为了抑制这种干扰需要使电路间的距离增长，导致阻碍了半导体装置的小型化。

发明内容

实施方式提供能够小型化的半导体装置。

实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。

实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、设于所述第一器件部分内的第一导电型的第一半导体区域。所述第一保护环区域的最宽部分的宽度为所述第一保护环区域的最窄部分的宽度的1.1倍以上。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的俯视图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置的截面图。

图3是表示第一实施方式的半导体装置的动作的图。

图4是表示第一实施方式的第一变形例的半导体装置的俯视图。

图5是表示第一实施方式的第二变形例的半导体装置的俯视图。

图6是表示第一实施方式的第三变形例的半导体装置的俯视图。

图7是表示第一实施方式的第四变形例的半导体装置的俯视图。

图8是表示第一实施方式的第五变形例的半导体装置的俯视图。

图9是表示第一实施方式的第六变形例的半导体装置的俯视图。

图10是表示第二实施方式的半导体装置的俯视图。

图11是表示第二实施方式的半导体装置的截面图。

图12是表示第三实施方式的半导体装置的俯视图。

图13是表示第三实施方式的半导体装置的截面图。