[发明专利]场效应晶体管电路、方法、装置、芯片及电池管理系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管电路，其特征在于，包括：

场效应晶体管，所述场效应晶体管为NMOS晶体管并且包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及

开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接，

当所述栅极与所述源极之间的栅源电压大于所述场效应晶体管的导通阈值电压时所述场效应晶体管导通，并且所述开关导通以使得所述源极与所述衬底连通，当所述栅源电压小于所述导通阈值电压时所述场效应晶体管断开，并且所述开关断开以使得所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。

2.如权利要求1所述的场效应晶体管电路，其特征在于，通过所述开关将所述源极与所述衬底连通时，所述场效应晶体管的导电沟道形成，并且通过所述开关将所述源极与所述衬底断开时，所述场效应晶体管的导电沟道不形成，

或者

所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路设置成，在所述源极和所述漏极之间不会通过所述串联电路形成导电通路，

或者

所述第一寄生二极管的阳极与所述第二寄生二极管的阳极连接，所述第一寄生二极管的阴极与所述漏极连接，所述第二寄生二极管的阴极与所述源极连接，

或者

所述开关为NMOS晶体管，

或者

所述开关的NMOS晶体管的栅极与所述场效应晶体管的NMOS晶体管的栅极连接，所述开关的NMOS晶体管的源极与所述连接点连接，所述开关的NMOS晶体管的漏极与所述场效应晶体管的NMOS晶体管的源极连接，

或者

所述场效应晶体管的栅极与漏极之间连接有第二开关，当所述场效应晶体管的漏极的电压≤0时，所述第二开关导通以将所述场效应晶体管的栅极与漏极连接，当所述场效应晶体管的漏极的电压＞0时，所述第二开关断开以将所述场效应晶体管的栅极与漏极断开，

或者

所述第二开关为耐压二极管，所述耐压二极管的阳极与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述耐压二极管的阴极与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接，

或者

所述第二开关为第二NMOS晶体管，所述第二NMOS晶体管具有寄生二极管，所述NMOS晶体管的源极与寄生二极管的一端与所述场效应晶体管的栅极直接连接或间接连接，所述NMOS晶体管的漏极与寄生二极管的另一端与所述场效应晶体管的漏极直接连接或间接连接。

3.一种场效应晶体管的控制方法，其特征在于，所述场效应晶体管为NMOS晶体管并且包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；所述连接点连接开关的一端，所述开关的另一端与所述源极连接，其特征在于，所述方法包括：

当所述栅极与所述源极之间的栅源电压大于所述场效应晶体管的导通阈值电压时，所述场效应晶体管被控制为导通，并且所述开关被控制为导通以使得所述源极与所述衬底连通；以及

当所述栅源电压小于所述导通阈值电压时，所述场效应晶体管被控制为断开，并且所述开关被控制为断开以使得所述源极与所述衬底断开，所述衬底处于浮空状态。