[发明专利]一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器

说明书

本发明公开了一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器，属于微波元器件领域，包括主基片、左基片和右基片，所述主基片包括硅基片、电路和金属化过孔，还包括三层绝缘膜，在每层所述绝缘膜上均制作所述电路，在端口处通过所述金属化过孔将所述电路的一部分引到所述三层膜的最底层膜处、一部分接地，将所述三层膜的最底层膜上的电路制作于所述硅基片上；在所述硅基片的中心位置设置用于放置铁氧体的铁氧体孔；本发明将铁氧体埋入硅基片内部，并将电路制作于三层膜上，采用这种形式的电路，结构简单，容易减小铁氧体的尺寸，可以将整体尺寸减小至3×3mm；并且在硅上的加工工艺成熟，成本低，速度快，效率高。

技术领域

本发明涉及微波元器件领域，尤其涉及一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块及其构成的环行器。

背景技术

环行器是微波工程中一类重要的基础性器件，其广泛应用于民用通讯、微波测量、雷达、通信、电子对抗、航空航天等各种民用、军用设备中，在设备中主要用来实现天线收发共用，级间隔离等问题。目前的集总参数环行器，通常工作在S波段及以下频段，在4G，5G通讯基站中有很广泛的应用，集总微带环形器由于其体积小、重量轻、易于集成的特点，在当代通讯系统中具有相当重要的地位。

目前常见的封装形式，是将电路编制在铁氧体上，电路容易互相干涉，尺寸过小编制困难，导致铁氧体的尺寸难以减小，导致器件整体尺寸难以小型化，目前常见尺寸为5×5mm。

即目前集总参数环行器连接电路直接制作在外壳上或制作在电路板上，存在工艺复杂、精度较低、装配困难、成本高等问题。

发明内容

本发明的目的就在于提供一种通讯用硅基集总参数环行器，以解决上述问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案是这样的：

一种通讯用硅基集总参数环行器电路模块，包括硅基片、电路和金属化过孔，还包括一层两层或三层绝缘膜，所述电路制作于每层所述绝缘膜上，在所述硅基片的端口处通过所述金属化过孔将所述电路的一部分引到所述两层或三层膜的最底层膜处、一部分接地。

关于绝缘膜的层数，可以是两层或者是三层，优选采用三层绝缘膜；当采用两层绝缘膜时，其中一层膜需要做两层电路。

作为优选的技术方案：所述绝缘膜为聚酰亚胺。当然，也可以选择其他材料的绝缘膜。

本发明的目的之二，在于提供由上述的电路模块构成的通讯用硅基集总参数环行器，采用的技术方案为，包括壳体，所述壳体内设置有主基片，所述主基片上设置有所述电路模块，在所述硅基片的中心位置设置用于放置铁氧体的铁氧体孔。

作为优选的技术方案：还包括左基片和右基片，所述左基片和右基片也由硅基片、电路和金属化过孔组成，所述左基片和右基片在所述主基片的下方两侧位置。

作为优选的技术方案：所述铁氧体孔采用蚀刻的方式设置。

本发明将集总参数的中心节电路制作在三层膜上，其中每层膜都上都制作电路，在端口处通过金属化过孔的方式将电路一部分引到最底层膜处，一部分接地；将电路制作在硅片上，因为硅片的加工工艺成熟，在硅上打孔和制作电路的工艺速度快，成本低，精度高；其中在硅基片中心位置蚀刻直径等于铁氧体直径的孔，将铁氧体放入，其余位置制作所需电路，端口位置通过金属化过孔将电路引到底面，优选的额外增加左右基板，形成表贴式。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明将铁氧体埋入硅基片内部，并将电路制作于两层或三层绝缘膜上，采用这种形式的电路，结构简单，容易减小铁氧体的尺寸，可以将整体尺寸减小至3×3mm；并且在硅上的加工工艺成熟，成本低，速度快，效率高。

附图说明

图1为本发明实施例1的总体背面示意图；

图2为本发明实施例1的总体侧面示意图；