[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸的鳍；

在所述鳍上方形成第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度；

在所述鳍上方形成第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；

在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积第一填充层；

在所述第一填充层上方沉积第二填充层；

利用化学机械抛光CMP工艺对所述第二填充层进行平坦化，执行所述CMP工艺直到所述第一填充层被暴露为止；以及

利用回蚀工艺对所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层进行平坦化，所述回蚀工艺以相同速率蚀刻所述第一填充层、所述第二填充层、所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的材料。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

将第一层间电介质ILD图案化有第一开口和第二开口，所述第一开口和所述第二开口暴露所述鳍；

在所述第一ILD上方形成ILD掩模；

在所述第一开口和所述第二开口中沉积栅极电介质层；

在所述栅极电介质层上形成栅极电极层；

在所述栅极电极层上沉积栅极掩模层；以及

对所述栅极掩模层进行平坦化，以在所述第一开口中形成所述第一栅极掩模并且在所述第二开口中形成所述第二栅极掩模。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之前，所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的最上表面延伸高于所述ILD掩模的最上表面。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之后，所述第一栅极掩模、所述第二栅极掩模、所述ILD掩模和所述第一填充层的最上表面是齐平的。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之前，所述ILD掩模的最上表面延伸高于所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的最上表面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，在所述回蚀工艺之后，所述ILD掩模和所述第一填充层的最上表面是齐平的，并且在所述回蚀工艺之后，所述第一填充层覆盖所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模。

7.根据权利要求2所述的方法，还包括：

回蚀所述栅极电极层和所述栅极电介质层，以在所述第一开口中形成第一栅极电介质和第一栅极电极并且在所述第二开口中形成第二栅极电介质和第二栅极电极。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在所述回蚀工艺之后，移除所述第一填充层以暴露所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的部分，所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模分别保留在所述第一栅极电极和所述第二栅极电极的未暴露部分上方。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸的鳍；

在所述鳍上方形成第一栅极掩模，所述第一栅极掩模具有第一宽度；

在所述鳍上方形成第二栅极掩模，所述第二栅极掩模具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；

在所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模上方沉积填充层；

利用化学机械抛光CMP工艺对所述填充层进行平坦化；以及

在所述CMP工艺之后，利用回蚀工艺对所述填充层进行平坦化，所述回蚀工艺以相同速率蚀刻所述填充层、所述第一栅极掩模和所述第二栅极掩模的材料。

10.一种制造半导体器件的方法，包括：

形成从衬底延伸的鳍；

在所述鳍的第一沟道区域上方形成第一栅极堆叠；

在所述鳍的第二沟道区域上方形成第二栅极堆叠，所述鳍的所述第二沟道区域具有与所述鳍的所述第一沟道区域不同的长度；

在所述第一栅极堆叠和所述第二栅极堆叠上方沉积第一填充层；

对所述第一填充层进行图案化；

使用经图案化的第一填充层作为蚀刻掩模，在所述第一栅极堆叠中蚀刻开口；

在所述开口中并且在所述第一填充层上方沉积第二填充层；

抛光所述第二填充层直到所述第一填充层的部分被暴露为止；以及

利用非选择性回蚀工艺来蚀刻所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层，在所述非选择性回蚀工艺之后，所述第二填充层的剩余部分和所述第一填充层的最上表面是齐平的。