[发明专利]一种纳米氢氧化镍铁薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、制备镓镍合金；具体包括：将镓熔化后涂覆于镍片上，100~250℃下退火处理，得到Ga-Ni合金；

S2、将步骤S1制备的镓镍合金通过脱合金法制得表面含有纳米结构Ni的Ni薄膜，通过循环伏安法将表面的纳米结构Ni氧化成Ni(OH)₂，得Ni- Ni(OH)₂薄膜；所述步骤S2中脱合金法包括以下步骤：将Ga-Ni合金置于碱性溶液中进行腐蚀处理2~10h；所述步骤S2中循环伏安法包括以下步骤：在碱性环境下，将表面含有纳米结构Ni的Ni薄膜作为工作电极，在1.0~1.6V的电压范围内，将表面的孔状纳米结构Ni氧化成Ni(OH)₂；

S3、将步骤S2制得的Ni- Ni(OH)₂薄膜置于无水乙醇中超声除去杂质后置于铁盐溶液中，反应后，得到所述纳米氢氧化镍铁薄膜，其中，所述纳米氢氧化镍铁薄膜具有三维、双连续结构且化学成分为NixFey(OH)₂；其中，x+y=1，x0，y0。

2.根据权利要求1所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：所述退火处理的时间为1~6h。

3.根据权利要求1所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：所述循环伏安法中扫描速度为20~100mV/s，循环圈数是10~100。

4.根据权利要求3所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：扫描速度为20~80 mV/s。

5.根据权利要求1至2任一项所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤S3中铁盐中Fe³⁺的浓度在0.1~1mol/L之间。

6.根据权利要求1至2任一项所述的纳米氢氧化镍铁薄膜的制备方法，其特征在于：所述超声时间为30~60min。

7.一种通过如权利要求1至6任一项所述的方法制得的纳米氢氧化镍铁薄膜。

8.一种如权利要求7所述的纳米氢氧化镍铁薄膜在析氧反应催化剂制备中的应用。

9.一种如权利要求7所述的纳米氢氧化镍铁薄膜在氢气制备中的应用。