[发明专利]阵列基板及OLED显示面板在审
申请号: | 202010824634.4 | 申请日: | 2020-08-17 |
公开(公告)号: | CN112038368A | 公开(公告)日: | 2020-12-04 |
发明(设计)人: | 白思航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06K9/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 刘泳麟 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 oled 显示 面板 | ||
一种阵列基板及OLED显示面板,阵列基板包括有效显示区,有效显示区包括指纹识别区和非指纹识别区,所述阵列基板包括衬底基板、设于衬底基板上的多个薄膜晶体管以及设于多个薄膜晶体管上的多个阳极,其中,每一薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极位于非指纹识别区,指纹识别区设置有透明导线,指纹识别区内的每一阳极通过透明导线与其中一个薄膜晶体管连接。通过将指纹识别区的薄膜晶体管的金属器件移出指纹识别区之外,仅保留阳极金属在指纹识别区内,并将连接阳极金属和薄膜晶体管的信号线替换成透明导线,在极大程度上增加指纹识别区的透过率的同时,也能保证指纹识别区的正常显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板及OLED显示面板。
背景技术
指纹识别技术是目前主流的生物识别方式,其应用的普及程度远超于其他识别手段,比如虹膜识别、静脉识别、人脸识别。随着工业设计的进一步发展,对指纹识别技术的要求也越来越高,传统的指纹识别技术因不能满足苛刻的工艺水平要求,继而产生了屏下指纹识别技术,该技术可以在真正意义上实现屏下指纹解锁,其不需要设置背部指纹感应凹口,也不需要设置前置指纹感应器,甚至在水中也能实现指纹解锁过程。
目前指纹识别区既要满足具有显示功能,又要满足具有足够的透过率,这是当下最主要的技术难点。显示区由聚酰亚胺基板,阵列层,发光层,封装层、触控层、以及其他模组器件构成,以上结构中对光的透过率影响最大的膜层为聚酰亚胺基板、阵列层中的金属膜层、发光层中的阴极膜层、以及模组器件中的偏光片。
综上,现有的显示装置的指纹识别区的透过率有待提升。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及OLED显示面板,以解决现有的阵列基板的指纹识别区的透过率不高,导致屏下指纹识别技术受限,进而影响全面屏发展的技术问题。
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
本发明实施例提供一种阵列基板,包括有效显示区,所述有效显示区包括指纹识别区和非指纹识别区,所述阵列基板包括衬底基板、设置于所述衬底基板上的多个薄膜晶体管、以及设置于多个所述薄膜晶体管上的多个阳极。其中,每一所述薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极位于所述非指纹识别区,所述指纹识别区设置有透明导线,所述指纹识别区内的每一所述阳极通过所述透明导线与其中一个所述薄膜晶体管连接。
在本发明的至少一种实施例中,所述衬底基板包括同层设置的透明部和非透明部,所述透明部与所述指纹识别区对应,所述非透明部与所述非指纹识别区对应。
在本发明的至少一种实施例中,所述薄膜晶体管上设置有第一平坦层,所述第一平坦层的位于所述指纹识别区的部分设置有第一过孔,所述透明导线设置于所述第一平坦层上且通过所述第一过孔与其中一个所述薄膜晶体管连接。
在本发明的至少一种实施例中,所述透明导线上设置有第二平坦层,所述指纹识别区的多个所述阳极设置于所述第二平坦层上,所述第二平坦层的位于所述指纹识别区的部分设置有第二过孔,位于所述指纹识别区的每一所述阳极通过所述第二过孔与所述透明导线连接。
在本发明的至少一种实施例中,多个所述阳极上设置有像素定义层,所述像素定义层包括多个阵列分布的开口,每一所述开口内对应设置一个所述阳极,多个所述开口定义出多个子像素区。
在本发明的至少一种实施例中,位于所述指纹识别区的每一所述子像素区内的子像素由2T1C电路驱动,所述2T1C电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管以及第一存储电容。
在本发明的至少一种实施例中,位于所述非指纹识别区且靠近所述指纹识别区的每一所述子像素区内的子像素由所述2T1C电路驱动;位于所述非指纹识别区的其他区域的所述子像素区内的子像素由7T1C电路驱动,所述7T1C电路包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第八薄膜晶体管、第九薄膜晶体管、第二存储电容。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的