[发明专利]半导体设备封装和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体设备封装，其包括：

衬底；

第一电路层，所述第一电路层安置在所述衬底上，所述第一电路层具有多个介电层和穿透所述介电层并电连接到所述衬底的第一通孔；以及

第二电路层，所述第二电路层安置在所述第一电路层上，所述第二电路层具有多个介电层和穿透所述介电层并电连接到所述第一电路层的第二通孔。

2.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一通孔的顶表面的宽度大于所述第二通孔的底表面的宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述衬底具有一或多个互连层，所述第一电路层具有至少部分地被所述介电层覆盖的一或多个互连层，并且所述衬底的所述互连层的线/间距L/S大于所述第一电路层的所述互连层的L/S。

4.根据权利要求2所述的半导体设备封装，其中所述第一电路层具有第一导电通孔，所述第一导电通孔穿透所述介电层中的一个并将所述互连层中的一个电连接到相邻互连层。

5.根据权利要求4所述的半导体设备封装，其中所述第一导电通孔在从所述衬底朝向所述第一电路层的方向上逐渐变窄。

6.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第一通孔在从所述第一电路层朝向所述衬底的方向上逐渐变窄。

7.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括第一连接层，所述第一连接层安置在所述第一电路层与所述第二电路层之间，其中所述第二通孔穿透所述第一连接层并电连接到所述衬底。

8.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括第二连接层，所述第二连接层安置在所述第一电路层与所述第二电路层之间，其中所述第二通孔穿透所述第二连接层并电连接到所述第一电路层。

9.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第二通孔在垂直于其上安置有所述第一电路层的所述衬底的表面的方向上与所述第一通孔基本上对准。

10.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其中所述第二通孔在垂直于其上安置有所述第一电路层的所述衬底的表面的方向上与所述第一通孔不对准。

11.根据权利要求1所述的半导体设备封装，其进一步包括电子组件，所述电子组件安置在所述第二电路层上并通过所述第一电路层和所述第二电路层电连接到所述衬底。

12.一种半导体设备封装，其包括：

较低密度衬底；以及

第一较高密度衬底，所述第一较高密度衬底安置在所述较低密度衬底上，所述第一较高密度衬底具有多个介电层和至少部分地被所述介电层覆盖的多个互连层，所述第一较高密度衬底包含第一通孔，所述第一通孔穿透所述介电层并将所述第一较高密度衬底与所述较低密度衬底电连接，

其中所述第一通孔的宽度与所述第一通孔的高度之比等于或小于1:2。

13.根据权利要求12所述的半导体设备封装，其进一步包括第一粘合层，所述第一粘合层安置在所述较低密度衬底与所述第一较高密度衬底之间，其中所述第一通孔穿透所述第一粘合层并电连接到所述第一较高密度衬底和所述较低密度衬底。

14.根据权利要求12所述的半导体设备封装，其中所述第一较高密度衬底具有第一导电通孔，所述第一导电通孔穿透所述介电层中的一个并将所述互连层中的一个电连接到相邻互连层。

15.根据权利要求14所述的半导体设备封装，其中所述第一导电通孔在从所述较低密度衬底朝向所述第一较高密度衬底的方向上逐渐变窄。