[发明专利]具有台阶形貌钝化层堆叠的高压半导体器件

权利要求书

1.一种高压半导体器件，包括：

高压导电结构；

在所述高压导电结构处或附近的台阶形貌；以及

覆盖所述台阶形貌的层堆叠，所述层堆叠包括：

电绝缘缓冲层；

在所述电绝缘缓冲层之上的SiC层；以及

在所述SiC层或所述SiC层的氮化表面区之上的氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的高压半导体器件，其中，所述台阶形貌由所述高压导电结构的边缘形成。

3.根据权利要求1或2所述的高压半导体器件，其中，所述台阶形貌由栅极流道边缘或p环边缘或场板边缘或高压晶体管的变化横向掺杂区的边缘形成。

4.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述SiC层为a-SiC：H层。

5.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述电绝缘缓冲层包括氮化顶表面区。

6.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述电绝缘缓冲层是氧化物层。

7.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述高压导电结构包括铝或铜。

8.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，还包括：

酰亚胺层，所述酰亚胺层在所述氮化硅层之上或在所述SiC层的所述氮化表面区之上。

9.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，

所述台阶形貌包括水平基底和竖直侧壁，并且

所述竖直侧壁具有等于或大于0.5μm或1μm或2μm或3μm或5μm或7μm或10μm的高度。

10.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，

所述台阶形貌包括水平基底和竖直侧壁，并且

所述SiC层完全覆盖所述水平基底与所述竖直侧壁之间的拐角区。

11.根据权利要求10所述的高压半导体器件，其中，所述SiC层还完全覆盖所述竖直侧壁。

12.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述SiC层是遵循所述台阶形貌的共形层。

13.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述电绝缘缓冲层是遵循所述台阶形貌的共形层。

14.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述氮化硅层是遵循所述台阶形貌的共形层。

15.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，被配置成使得所述SiC层为电浮置的。

16.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，被配置为在等于或大于0.6kV或1 kV或2 kV或3 kV或4 kV或5 kV或6kV或6.5kV的电压下操作。

17.根据前述权利要求中任一项所述的高压半导体器件，其中，所述高压半导体器件是IGBT、FET、二极管、晶闸管、GTO、JFET、MOSFET、BJT和HEMT中的一个。