[发明专利]一种真空压弯式弯晶

权利要求书

1.一种真空压弯式弯晶，其特征在于：包括壳体，所述壳体上设有X射线入射口(2)，从X射线入射口(2)到壳体内部沿X射线入射方向依次设置X射线透射膜(3)、单晶晶片(4)和曲面基底(5)，所述X射线透射膜(3)、壳体的侧壁和底面形成密封腔体，所述密封腔体上设有用于抽真空的排气口(1)，进行晶体压弯时，密封腔体内产生负压，大气压将X射线透射膜(3)柔性地贴合在单晶晶片(4)和曲面基底(5)上。

2.如权利要求1所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述壳体包括顶座(7)、腔室(8)和底座(9)，顶座(7)通过腔室(8)和底座(9)连接，所述X射线入射口(2)设在顶座(7)上，曲面基底(5)设在底座(9)上，X射线透射膜(3)设在顶座(7)和腔室(8)之间，X射线透射膜(3)、腔室(8)和底座(9)形成密封腔体。

3.如权利要求2所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述底座(9)上设有凹槽(10)，所述曲面基底(5)通过凹槽(10)固定在底座(9)上。

4.如权利要求2所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述顶座(7)与腔室(8)之间、腔室(8)与底座(9)之间通过密封圈(6)密封。

5.如权利要求1所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述X射线透射膜(3)为聚酰亚胺薄膜材料或聚氨酯材料。

6.如权利要求1所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述曲面基底(5)的曲面为球面、柱面、双曲面或抛物面；所述曲面基底(5)的形状为长方形、正方形或圆形。

7.如权利要求1所述的一种真空压弯式弯晶，其特征在于：所述单晶晶片(4)的材料为硅、锗、石英、蓝宝石或高定向热解石墨。