[发明专利]底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法在审
申请号: | 202010825545.1 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN112201669A | 公开(公告)日: | 2021-01-08 |
发明(设计)人: | 吴炳升;吴昭文 | 申请(专利权)人: | 启端光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/48;H01L33/58;H01L33/62 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 底部 发光 发光二极管 显示器 及其 修补 方法 | ||
本发明是底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。该底部发光型微发光二极管显示器,包含微发光二极管,设于透明基板上;导光层围绕微发光二极管,用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板;及反射层,形成于导光层上,用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射,且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。
本申请是申请号为201810375036.6的名称为“底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法”的发明专利申请的分案申请,原申请的申请日是2018年04月24日。
技术领域
本发明是有关一种微发光二极管,特别是关于一种底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。
背景技术
微发光二极管(microLED、mLED或μLED)显示面板为平板显示器(flat paneldisplay)的一种,其是由尺寸等级为1~10微米的个别精微(microscopic)发光二极管所组成。相较于传统液晶显示面板,微发光二极管显示面板具较大对比度及较快反应时间,且消耗较少功率。微发光二极管与有机发光二极管(OLED)虽然同样具有低功耗的特性,但是,微发光二极管因为使用三-五族二极管技术(例如氮化镓),因此相较于有机发光二极管具有较高的亮度(brightness)、较高的发光效能(luminous efficacy)及较长的寿命。
在制造微发光二极管显示面板时,必须使用静电(electrostatic)力、磁力或真空吸力吸取个别的微发光二极管并转移而接合(bond)至显示面板。在进行微发光二极管的吸取转移与接合时,实务上会有少量单独的微发光二极管未被正常吸取、释放,或者微发光二极管本身有功能缺陷而无法正常操作。当微发光二极管接合于显示面板的基板后,若发现其功能缺陷或无法正常操作,很难予以修补。一般需进行局部破坏以进行修补,但制程复杂且耗时。
因此,亟需提出一种简易快速的方法以修补微发光二极管显示器。
发明内容
鉴于上述,本发明实施例的目的之一在于提出一种底部发光型微发光二极管显示器及其修补方法。微发光二极管显示器的修补方法不须使用破坏性机制而能快速便利进行微发光二极管显示器的修补。
根据本发明实施例,底部发光型微发光二极管显示器包含透明基板、微发光二极管、导光层及反射层。微发光二极管设于透明基板上。导光层围绕微发光二极管,用以将微发光二极管所产生的光线控制导向透明基板。反射层形成于导光层上,用以反射微发光二极管所产生的光线使其向下发射,且局限微发光二极管所产生的光线使其不会向上或向侧边漏光。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,更包含选择电极,设于该透明基板上,电性连接至该微发光二极管的第一电极。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,其中该微发光二极管为垂直型微发光二极管。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,其中该反射层作为共电极,并电性连接至该微发光二极管的第二电极。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,更包含绝缘层,设于该透明基板上,该绝缘层的部分被蚀刻以暴露该透明基板,且该选择电极设于该暴露的透明基板上。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,其中该微发光二极管为覆晶型微发光二极管。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,更包含:绝缘层,设于该透明基板与该选择电极上;及导电层,设于该绝缘层上,该导电层电性连接至该选择电极;其中该微发光二极管的第一电极接合且电性连接于该导电层。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,更包含共电极,设于该微发光二极管与该透明基板之间,并电性连接至该微发光二极管的第二电极。
所述的底部发光型微发光二极管显示器,其中该透明基板包含玻璃。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的