[发明专利]基于重布线路层的空间转换基体及其制备方法

权利要求书

1.一种基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于，所述空间转换基体用于基体组装探针阵列以制造先进探针卡，所述探针卡用于连接晶圆与晶圆测试系统以完成硅晶圆和晶片的电学测试，所述制备方法包括：

1)提供晶圆，在所述晶圆上形成重布线路层，包括信号层和电源/接地层，所述重布线路层包括相对的第一连接面及第二连接面及其之间的布线层结构，所述第一连接层具有第一间距的第一电子连接，所述第二面具有第二间距的第二电子连接，所述第一电子连接通过所述布线层结构与所述第二电子连接电连接，且所述第二间距大于所述第一间距；

2)于所述第二连接面的第二电子连接上形成金属凸点；

3)对所述晶圆进行切割以获得独立的空间转换片；

4)通过所述金属凸点将所述空间转换片接合于插入电路板；

5)剥离所述晶圆，以露出所述第一连接面；

6)于所述第一连接面的第一电子连接上形成探针连接层，用于探针阵列的组装以完成探针卡的制备。

2.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：步骤1)在晶圆上形成重布线路层前，还包括于所述晶圆上形成临时粘结层的步骤；步骤5)基于所述临时粘结层，通过化学方法或激光剥离方法剥离所述晶圆。

3.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：所述布线层结构包括多层电子线路层，每层所述电子线路层包括电子连接、层间介质及导电通孔，且多层所述电子线路层的电子连接的间距自所述第一连接面至所述第二连接面逐层增大。

4.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：所述第一间距介于2微米～150微米之间，所述第二间距介于150微米～500微米之间。

5.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：步骤1)在所述晶圆上形成重布线路层包括：

1-1)在所述晶圆上形成光敏有机体绝缘层，并通过光刻工艺在所述光敏有机体绝缘层形成通孔；

1-2)在所述光敏有机体绝缘层及所述通孔形成种子层；

1-3)在所述光敏有机体绝缘层上形成图形化的光刻胶阻挡层；

1-4)通过电镀工艺在所述光敏有机体绝缘层及所述通孔中形成金属层；

1-5)去除所述光刻胶阻挡层以及其下方的种子层，以形成一层电子线路层；

1-6)重复进行步骤1-1)～步骤1-5)，以形成具有多层电子线路层的重布线路层。

6.根据权利要求5所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：所述光敏有机体绝缘层包括光敏聚酰亚胺及光敏苯并环丁烯中的一种，所述种子层包括钛铜合金，所述金属层包括铜。

7.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：步骤6)中，采用电镀工艺在所述第一电子连接上形成探针连接层，所述探针连接层包括镀镍层和镀金层，之后，探针阵列组装到镀金层以完成探针卡的制备。

8.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：基于同一晶圆制备的所述空间转换片均为相同结构的空间转换片。

9.根据权利要求8所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：步骤4)中，一个所述插入电路板接合一个所述空间转换片，或一个所述插入电路板同时接合多个相同结构的所述空间转换片。

10.根据权利要求1所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：基于同一晶圆制备的所述空间转换片包括多种不同结构的空间转换片，其中，所述多种不同结构的空间转换片通过混合光学掩膜制备。

11.根据权利要求10所述的基于重布线路层的空间转换基体的制备方法，其特征在于：步骤4)中，一个所述插入电路板同时接合多个不同结构的空间转换片。