[发明专利]一种基于超临界氮氧化合物改善4H-SiC/SiO2

权利要求书

1.一种基于超临界氮氧化合物改善4H-SiC/SiO2界面的低温处理方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将带有氧化层的碳化硅样品放置到稳态超临界设备内，并保证碳化硅样品垂直；

S2、将稳态超临界设备密封，充入氮氧气体，并控制初始压强，氮氧气体的含量大于等于稳态超临界设备反应釜体积的10％，初始压强为5～25MPa；

S3、对稳态超临界设备进行升温升压处理，稳态超临界设备的温度为50～500℃，压强为10～100MPa；

S4、保持步骤S3升温升压处理的温度和压强充分反应，然后降压至大气压后将样品取出，完成低温处理，在超临界状态下的反应时间为1～5h。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，氮氧气体包括N₂O和NO，稳态超临界设备反应釜内的剩余气体包括O₂和N₂。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，低温处理后4H-SiC/SiO2的界面态密度为1×10¹¹～1×10¹²eV^-1cm^-2，击穿电压为10～13MV/cm，栅氧漏电流密度为1×10^-10～1×10^-8A·cm^-2。

4.根据权利要求1所述基于超临界氮氧化合物改善4H-SiC/SiO2界面的低温处理方法处理的电容器件在航空航天、探测传感和新能源汽车方面的应用。