[发明专利]一种硅异质结电池及其制作方法

权利要求书

1.一种硅异质结电池，其特征在于，包括：

硅基底，所述硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层、以及形成在所述掺杂硅衬底和所述P型掺杂硅层之间的第一本征硅层；

形成在所述P型掺杂硅层上的界面反型层；

以及形成在所述界面反型层上的第一透明导电层；其中，

所述界面反型层包含具有用于传导电子的共轭电子传导结构的极性有机分子，所述极性有机分子与所述P型掺杂硅层中的硅原子成键，所述极性有机分子包括4-乙炔基苯胺、对异丙烯基苯酚、4-叔丁基苯胺、丙烯醇、异丁烯醇、丙烯酸、4-烯丙基苯甲酸、4-乙烯基苯甲醛中的一种或多种；所述界面反型层具有从所述第一透明导电层指向所述P型掺杂硅层的偶极矩；所述界面反型层与所述第一透明导电层之间通过范德瓦尔斯力结合在一起。

2.根据权利要求1所述的硅异质结电池，其特征在于，所述界面反型层的结构为单分子层结构。

3.根据权利要求1所述的硅异质结电池，其特征在于，所述极性有机分子具有含高电负性元素的官能团，所述高电负性元素的电负性大于碳元素的电负性，所述含高电负性元素的官能团与所述P型掺杂硅层中的硅原子成键；所述极性有机分子具有的官能团包括氨基、羟基、羧基、醛基、酚基中的一种或多种。

4.根据权利要求1～3任一项所述的硅异质结电池，其特征在于，所述共轭电子传导结构包括芳香基、烯基、炔基中的一种或多种。

5.根据权利要求1～3任一项所述的硅异质结电池，其特征在于，所述掺杂硅衬底为N型硅衬底或P型硅衬底。

6.根据权利要求1～3任一项所述的硅异质结电池，其特征在于，所述硅基底还包括第二本征硅层和N型掺杂硅层，所述第二本征硅层形成在所述掺杂硅衬底远离第一本征硅层的一侧，所述N型掺杂硅层形成在所述第二本征硅层上；所述硅异质结电池还包括形成在所述N型掺杂硅层上的第二透明导电层。

7.一种硅异质结电池的制作方法，其特征在于，包括：

提供一硅基底；所述硅基底包括掺杂硅衬底、P型掺杂硅层以及形成在所述掺杂硅衬底和所述P型掺杂硅层之间的第一本征硅层；

在所述P型掺杂硅层上形成界面反型层；

在所述界面反型层上形成第一透明导电层；其中，

所述界面反型层包括具有用于传导电子的共轭电子传导结构的极性有机分子，所述极性有机分子与所述P型掺杂硅层中的硅原子成键，所述极性有机分子包括4-乙炔基苯胺、对异丙烯基苯酚、4-叔丁基苯胺、丙烯醇、异丁烯醇、丙烯酸、4-烯丙基苯甲酸、4-乙烯基苯甲醛中的一种或多种；所述界面反型层具有从所述第一透明导电层指向所述P型掺杂硅层的偶极矩；所述界面反型层与所述第一透明导电层之间通过范德瓦尔斯力结合在一起。

8.根据权利要求7所述的硅异质结电池的制作方法，其特征在于，所述提供一硅基底后，所述在所述P型掺杂硅层上形成界面反型层前，所述硅异质结电池的制作方法包括：

对所述P型掺杂硅层进行表面活化处理；其中，

所述表面活化处理的方式为氢氟酸腐蚀方式和/或等离子处理方式；所述界面反型层的沉积方式为真空热蒸发沉积方式和/或化学溶液沉积方式。