[发明专利]一种基于量子点光栅增强的光电探测器及其制备方法和探测光的调整方法

权利要求书

1.一种基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述基于量子点光栅增强的光电探测器包括依次连接的电极层、量子点层、量子点高折射率光栅结构层及低折射率光栅结构层；

所述量子点高折射率光栅结构层中的光栅结构与所述电极层中的电极垂直设置。

2.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点高折射率光栅结构层的材质包含PbS、CdSe、PbSe、AgS、HgTe、InGaAs及钙钛矿材料中的至少一种。

3.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述低折射率光栅结构层的材质包括低折射率的柔性材料和/或非柔性材料。

4.如权利要求3所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述低折射率的柔性材料包括硅胶、PDMS及PET中的至少一种。

5.如权利要求3所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述低折射率的非柔性材料包括玻璃及硅片中的至少一种。

6.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点层的材质选自PbS、CdSe、PbSe、AgS、HgTe、InGaAs及钙钛矿材料中的至少一种。

7.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点层的材质与量子点高折射率光栅结构层的材质相同。

8.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点层的厚度为90-300nm。

9.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点高折射率光栅结构层的周期为800-1400nm。

10.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点高折射率光栅结构层的占空因数为0.2-0.8。

11.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点高折射率光栅结构层的纵深为150-400nm。

12.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述量子点高折射率光栅结构层的光栅结构与低折射率光栅结构层的光栅结构相互嵌合。

13.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述电极层的材质选自Al、Ag、Au及氧化铟锡中的至少一种。

14.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述电极层通过蒸镀和/或磁控溅射得到。

15.如权利要求14所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述电极层通过蒸镀金属得到。

16.如权利要求14所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述电极层通过磁控溅射氧化铟锡得到。

17.如权利要求1所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述低折射率光栅结构层背对所述高折射率光栅结构层的一侧设置有衬底层。

18.如权利要求17所述的基于量子点光栅增强的光电探测器，其特征在于，所述衬底层的材质包括玻璃、硅片及PET中的至少一种。