[发明专利]感光半导体结构及其感光波段调节方法、组成的光电器件

权利要求书

1.调节感光半导体结构的感光波段的方法，其特征在于，所述感光半导体结构包括衬底和感光层；所述感光层包括由下至上的两层：第一氧化硅层、第二氧化硅层，所述第二氧化硅层的致密度小于所述第一氧化硅层的致密度；所述第一氧化硅层由热氧化法生长而成，所述第二氧化硅层由等离子体增强化学气相沉积法沉积而成；

向所述感光层进行处理a或处理b中的至少一种，其中：

处理a：退火处理，退火温度为750-1200℃，通过控制所述退火处理的温度和/或时间来调节感光波段；

处理b：掺杂硼和/或磷，通过控制硼和/或磷的掺杂比例来调节感光波段。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在等离子体增强化学气相沉积形成所述第二氧化硅层的过程中，掺入硼和/或磷元素，以实现所述处理b；

或者，

在等离子体增强化学气相沉积形成所述第二氧化硅层之后，通过离子注入方式掺杂硼和/或磷离子，以实现所述处理b。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，向所述感光半导体结构的感光层先进行所述处理b，后进行所述处理a。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在衬底上生长场氧层，

刻蚀形成光感区，

在所述光感区形成所述第一氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火处理为尖峰退火或高温炉管退火。

6.利用权利要求1-5任一项所述的方法得到的感光半导体结构。

7.权利要求6所述的感光半导体结构组成的光电器件。

8.权利要求6所述的感光半导体结构组成的光电探测器。