[发明专利]一种IGBT饱和导通电压测量电路在审

专利信息
申请号: 202010828602.1 申请日: 2020-08-18
公开(公告)号: CN111929485A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 吴晓光;黄辉;傅俊寅;汪之涵 申请(专利权)人: 深圳青铜剑技术有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 饱和 通电 测量 电路
【说明书】:

本发明公开了一种IGBT饱和导通电压测量电路,用于在IGBT饱和导通时测量饱和导通电压,所述电路包括二极管D1及相同型号的二极管D2,以分别用于与IGBT的集电极和发射极电连接,所述电路还包括电流源模块、电压转换模块及电压测量模块,所述电流源模块包括检流电阻,用于在IGBT饱和导通时产生第一电流,并在第一电流流经检流电阻后输出至二极管D1。所述电压转换模块用于获取检流电阻的压降,并对检流电阻的压降进行转换,以输出与第一电流大小相等的第二电流至二极管D2。所述电压测量模块用于根据二极管D1与二极管D2的阳极电压输出测量电压。如此,实现准确测量IGBT饱和电压的同时可减小PCB板占用面积、降低设计成本。

技术领域

本发明涉及测量电路领域,尤其涉及一种IGBT饱和导通电压测量电路。

背景技术

IGBT饱和导通电压是在预定栅极电压驱动下,IGBT工作于饱和区时集电极与发射极之间的电压差。饱和导通电压作为大功率IGBT的一个重要电气参数,对IGBT的正常运行有着重要作用。越来越多的应用环境对这个参数的测量提出了需求,以此判断系统的运行状态。

申请号为201610996707.1的专利申请文件中公开了一种IGBT集电极电压分立测量电路,该技术通过两个型号相同的电流源Is1~Is2分别向对应连接于IGBT的集电极与发射极的两个二极管D1~D2注入相同电流,然后通过差分放大器U1获取这两个二极管D1~D2的压降,以输出对应于IGBT集电极电压的测量电压。然而为了保证足够低的检测误差,该方法采用数量为2个的高精密线性电流源芯片,这使得PCB板占用面积较大,且极大增加了设计成本。

发明内容

鉴于此,有必要提供一种IGBT饱和导通电压测量电路,能够在实现饱和导通电压的精准测量的目的同时,减小PCB板占用面积、降低设计成本。

本发明为达上述目的所提出的技术方案如下:

一种IGBT饱和导通电压测量电路,用于在IGBT饱和导通时测量集电极与发射极之间的电压,所述IGBT饱和导通电压测量电路包括二极管D1及与所述二极管D1相同型号规格的二极管D2,所述二极管D1的阴极用于与IGBT的集电极电连接,所述二极管D2的阴极用于与IGBT的发射极电连接,所述IGBT饱和导通电压测量电路还包括:

电流源模块,包括检流电阻RS,所述电流源模块通过所述检流电阻RS连接至所述二极管D1的阳极,所述电流源模块用于在IGBT饱和导通时产生第一电流,并在所述第一电流流经所述检流电阻RS后输出至所述二极管D1;

电压转换模块,所述电压转换模块的输入端与所述电流源模块电连接,所述电压转换模块的输出端与所述二极管D2的阳极电连接,所述电压转换模块用于获取所述检流电阻RS的压降,并对所述检流电阻RS的压降进行转换,以输出与所述第一电流大小相等的第二电流至所述二极管D2;

电压测量模块,所述电压测量模块的输入端电连接于所述二极管D1和所述二极管D2的阳极,用于获取所述二极管D1与所述二极管D2的阳极电压,并根据所述二极管D1与所述二极管D2的阳极电压输出与所述IGBT的集电极-发射极间电压大小相等的测量电压。

进一步地,所述电流源模块还包括电流产生单元,所述电流产生单元与所述检流电阻RS的第一端电连接,所述检流电阻RS的第二端连接至所述二极管D1的阳极,所述电流产生单元用于产生所述第一电流。

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