[发明专利]一种增加爬电距离的半导体封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种增加爬电距离的半导体结构，其包括壳体、若干个由内部芯片引出的贯穿所述壳体的引线，其特征在于，至少一个所述引线上包覆有凸缘，所述凸缘位于所述引线与壳体外表面相邻的部位；或至少一个所述引线上包覆有凸缘，同时相邻两个所述引线之间开有凹槽，所述凹槽的两端分别贯穿所述壳体的顶端端面和底端端面。

2.根据权利要求1所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，每个所述凹槽的中部均设置有凸块，所述凸块的两端向两侧延伸并贯穿所述壳体的上表面、下表面。

3.根据权利要求1、2或3任一项所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，所述凸缘平行于所述引线伸出方向并凸出于所述壳体的外表面，所述凸缘由所述壳体的外表面沿所述引线向外延伸的距离为100微米～3毫米。

4.根据权利要求3所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，所述凹槽由所述壳体的一侧端面向内凹陷，所述凹陷的深度为100微米～3毫米。

5.根据权利要求4所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，所述引线的数量为三个，分别为：第一引线、第二引线、第三引线，所述第一引线、第二引线、第三引线沿所述壳体的一侧端顺序设置，所述凹槽位于所述第一引线与所述第二引线之间、或所述第二引线与所述第三引线之间。

6.根据权利要求5所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，所述第一引线、第三引线凸出于所述壳体的部位分别包覆有所述凸缘，所述第一引线与所述第二引线之间、所述第二引线与所述第三引线之间分别开有所述凹槽。

7.根据权利要求5所述的一种增加爬电距离的半导体结构，其特征在于，所述第二引线凸出于所述壳体的部位包覆有所述凸缘。

8.一种实现上述权利要求1、6或7任一项封装结构封装的方法，其特征在于，采用环氧树脂将所述芯片及所述引线的一端密封封装，所述引线之间的爬电路径上设置有若干个所述凸缘，或至少一个所述引线上包覆有凸缘，同时所相邻两个述引线之间开有凹槽，所述凸缘与所述壳体一体成型，或所述凸缘、凹槽与所述壳体一体成型。