[发明专利]镂空掩膜版及使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法

权利要求书

1.一种镂空掩膜版，其特征在于，所述镂空掩膜版设有贯通其上下表面的镂空图形区，所述图形区的形状至少为LED芯片的电流阻挡层、透明导电层、电极、保护层、布拉格反射层和连接电极中一种的图案形状。

2.根据权利要求1所述的镂空掩膜版，其特征在于，所述镂空掩膜版的材质为金属。

3.根据权利要求2所述的镂空掩膜版，其特征在于，所述镂空掩膜版材质为镍铁合金。

4.根据权利要求1所述的镂空掩膜版，其特征在于，所述镂空掩膜版包括电流阻挡层掩膜版、透明导电层掩膜版、电极掩膜版和连接电极掩膜版中的一种或多种，其上的所述图形区分别为对应的所述电流阻挡层、所述透明导电层、所述电极和所述连接电极所覆盖区域的图案形状。

5.根据权利要求4所述的镂空掩膜版，其特征在于，所述镂空掩膜版包括保护层掩膜版和拉格反射层掩膜版中的一种或多种，其上的所述图形区分别为对应的所述保护层和所述拉格反射层未覆盖区域的图案形状。

6.一种使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，包括步骤：

提供一衬底，在所述衬底上生长N型半导体层、发光层和P型半导体层，刻蚀部分所述发光层和P型半导体层，暴露出所述N型半导体层；

将镂空图形区为电极图案形状的电极掩膜版覆盖在所述LED芯片上，直接在所述N型半导体层和所述P型半导体层上蒸镀图形化的金属电极。

7.根据权利要求6所述的使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，在制造所述电极之前还包括步骤：

将镂空图形区为透明导电层图案形状的上部分区域透明导电层掩膜版覆盖在所述LED芯片上，直接在所述N型半导体层和所述P型半导体层上沉积图形化的透明导电层。

8.根据权利要求6所述的使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，在制造所述电极之前还包括步骤：

将镂空图形区为电流阻挡层图案形状的电流阻挡层掩膜版覆盖在所述LED芯片上，直接在所述N型半导体层和所述P型半导体层上沉积绝缘材质的图形化电流阻挡层。

9.根据权利要求6所述的使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，在制造所述电极之后还包括步骤：

在所述LED芯片上沉积绝缘材质的保护层；

将镂空图形区为所述保护层图案形状的金属保护层掩膜版覆盖在所述LED芯片上，刻蚀形成所述保护层图案形状，暴露出所述电极。

10.根据权利要求6所述的使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，在制造所述电极之后还包括步骤：

在所述LED芯片上沉积布拉格反射层；

将镂空图形区为所述布拉格反射层图案形状的金属布拉格反射层掩膜版覆盖在所述LED芯片上，刻蚀形成所述布拉格反射层图案形状，暴露出所述电极。

11.根据权利要求10所述的使用镂空掩膜版制造LED芯片的方法，其特征在于，在制造所述布拉格反射层之后还包括步骤：将镂空图形区为连接电极图案形状的连接电极掩膜版覆盖在所述LED芯片上，直接在所述布拉格反射层上沉积图形化的连接电极。