[发明专利]具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法

说明书

本发明提供一种具有偏角的六方晶系的SiC基板的评价方法，其特征在于：包括：使用扫描型电子显微镜，基于以相对于作为所述SiC基板的表面的(0001)面的垂线倾斜的入射电子角对该SiC基板的表面入射电子束而获得的影像，来评价所述SiC基板的质量的步骤，所述SiC基板以支撑于倾斜支撑台的状态被照射电子束，所述倾斜支撑台的支撑面具有与所述SiC基板的偏角相同的倾斜角。

本申请是申请日为2017年4月27日、申请号为201780026029.9、发明创造名称为：“带有倾斜支撑台的标准样品、扫描型电子显微镜的评价方法和SiC基板的评价方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明主要涉及一种标准样品，该标准样品用于通过使用由扫描型电子显微镜获得的影像的反差来评价扫描型电子显微镜。

背景技术

作为用于校正和评价扫描型电子显微镜的技术，例如已知专利文献1至3中公开的技术。

专利文献1公开一种用于进行与扫描型电子显微镜的能量色散X射线光谱仪有关的校正和评价的技术。X射线的能量校正，是通过测量铜或铝等的纯金属来进行。在专利文献1中，所述技术是通过将用于保持收集被检体的滤纸的握持部件设为纯金属制，从而能够减少部件数。

专利文献2公开一种用于校正和评价由扫描型电子显微镜获得的影像的尺寸的技术。专利文献2的标准样品，是在形成有微细刻度的微型标尺上配置有彼此具有不同尺寸的多个颗粒。在这尽管省略了详细校正方法的说明，但是通过所述构成，即使在使用微型标尺无法校正尺寸的情况，也可以容易应对。

专利文献3公开一种用于扫描型电子显微镜的标准样品。该标准样品是由形成有台阶/平台结构的SiC基板组成，并且SEM影像的明暗反差根据扫描型电子显微镜的入射电子束角度而变化。

[现有技术文献]

[专利文献]

专利文献1：日本专利特开2013-235778号公报

专利文献2：日本专利特开2002-352764号公报

专利文献3：日本专利特开2015-179082号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

除了所述专利文献中所提的事项之外，扫描型电子显微镜的性能，还包括照射的电子束的质量。例如，在照射的电子束的平行度低或者电子束未沿预定方向照射在被检体上的情况下，有可能无法获得所期望的影像。

然而，过往并不存在这种的评价电子束的方法，因而不能客观地评价扫描型电子显微镜的质量。另外，专利文献3中描述了在由偏角大的SiC基板组成的标准样品中，难以观察SEM影像中的明暗的反差。

本发明是鉴于以上的情状而完成，其主要目的，在于提供一种在用于客观地评价扫描型电子显微镜的质量的标准样品中，即使在偏角大的情况下也能发挥性能的构成。

解决问题所使用的技术方案及效果

本发明所要解决的问题，诚如上面的说明，下面对用以解决此问题的手段及其功效进行说明。