[发明专利]雪崩光电二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，包括衬底以及形成在所述衬底上的外延部，所述外延部包括依序层叠在所述衬底上的倍增层、电荷层和吸收层，其特征在于，所述外延部还包括设置在所述电荷层和所述吸收层之间的第一波导层以及设置在所述吸收层的背向所述电荷层的表面上的第二波导层，所述第一波导层的折射率和所述第二波导层的折射率均小于所述吸收层的折射率。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述外延部还包括依序层叠在所述衬底和所述倍增层之间的第一缓冲层和第二缓冲层。

3.根据权利要求1或2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述外延部还包括接触层，所述接触层设置于所述第二波导层上。

4.根据权利要求3所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管还包括第一电极和第二电极，其中，所述第二缓冲层、所述倍增层、所述电荷层、所述第一波导层、所述吸收层、所述第二波导层和所述接触层在所述衬底上的正投影均位于所述第一缓冲层在所述衬底上的正投影内，所述第一电极设置于所述接触层上，所述第二电极设置于所述第一缓冲层面向所述第二缓冲层的表面上。

5.根据权利要求4所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管还包括钝化膜，所述钝化膜设置于所述外延部的侧面上，所述钝化膜由聚酰亚胺材料制成。

6.一种雪崩光电二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依序形成倍增层；

在所述倍增层上形成电荷层；

在所述电荷层上形成第一波导层；

在所述第一波导层上形成吸收层；

在所述吸收层上形成第二波导层；

其中，所述第一波导层的折射率和所述第二波导层的折射率小于所述吸收层的折射率。

7.根据权利要求6所述的制作方法，其特征在于，在形成所述倍增层之前，所述制作方法还包括：在所述衬底上形成缓冲结构；

其中，所述倍增层在所述缓冲结构形成之后，并且形成在所述缓冲结构上。

8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成缓冲结构的方法包括：

在所述衬底上形成第一缓冲层；

在所述第一缓冲层上形成第二缓冲层，以形成所述缓冲结构。

9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述第二波导层上形成接触层；

在所述接触层上形成第一电极；

在所述第一缓冲层面向所述第二缓冲层的表面上形成第二电极。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述缓冲结构、所述倍增层、电荷层、第一波导层、吸收层和第二波导层和所述接触层的周围涂覆聚酰亚胺溶液；

固化所述聚酰亚胺溶液，以形成钝化膜。