[发明专利]一种红光LED芯片及制备方法

说明书

本发明涉及一种红光LED芯片及制备方法，制备红光LED芯片的过程中，通过在红光外延层上设置第一氮化镓膜层，在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，利用第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层间的键合形成键合层，进而通过键合层将红光外延层与绝缘基板结合在一起，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。后续过程中，在绝缘基板上制备好红光LED芯片后，可以直接采用激光分解氮化镓材质的键合层。由于氮化镓对激光的吸收率高，在激光的作用下可以基本被完全分解，避免了在红光LED芯片留下BCB残胶的问题，因此可以提升红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果，维护了红光LED芯片的品质与显示效果。

技术领域

本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种红光LED芯片及制备方法。

背景技术

目前，LED高清显示方案中都离不开红光、绿光、蓝光LED芯片。这三种颜色的LED芯片最终的制备过程都是在蓝宝石衬底上进行的，制备完成后，需要采用激光分离LED芯片与蓝宝石衬底。该工艺过程对于蓝光或绿光LED芯片而言，成熟简单。但对于红光LED芯片而言，因为红光外延层实际上是通过BCB(苯并环丁烯)胶粘接在蓝宝石衬底上的，因此，剥离蓝宝石衬底实际上就是通过分解BCB胶层从而解除其对红光LED芯片与蓝宝石衬底的粘接结合，但因为BCB胶对激光的吸收较差，所以，该过程中纯粹是靠物理冲击作用使BCB胶发生碳化而分解，这就容易出现去胶不完全的问题，从而使得残胶遗留在红光LED芯片上，影响红光LED芯片显示效果。

因此，如何改善红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果是目前亟待解决的问题。

发明内容

鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种红光LED芯片及制备方法，旨在解决相关生产红光LED芯片的技术中通过激光碳化BCB胶来分离红光LED芯片与蓝宝石衬底，容易遗留残胶在红光LED芯片上影响红光LED芯片显示效果的问题。

本申请提供一种红光LED芯片制备方法，包括：

在置于生长基板的红光外延层上设置第一氮化镓膜层，并在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，红光外延层为用于制备红光LED芯片的外延层；

将第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层键合形成键合层并去除生长基板，以将红光外延层转移至绝缘基板；

设置与红光外延层电连接的电极；

激光分解键合层，以实现红光LED芯片与绝缘基板的分离。

上述红光LED芯片制备方法中，通过在红光外延层上设置第一氮化镓膜层，在绝缘基板上设置第二氮化镓膜层，利用第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层间的键合形成键合层，进而通过键合层将红光外延层与绝缘基板结合在一起，实现红光外延层从生长基板到绝缘基板的转移。后续过程中，在绝缘基板上制备好红光LED芯片后，可以直接采用激光分解氮化镓材质的键合层。由于氮化镓对激光的吸收率高，在激光的作用下可以基本被完全分解，避免了在红光LED芯片留下BCB残胶的问题，因此可以提升红光LED芯片与蓝宝石衬底的剥离效果，维护了红光LED芯片的品质与显示效果。

可选地，将第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层键合形成键合层包括：

将第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层在真空条件下进行键合形成键合层。

上述红光LED芯片制备方法中，在真空条件下对第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层两个膜层进行键合，可以提升二者的键合效果，增强红光外延层与绝缘基板间结合的可靠性。

可选地，将第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层键合形成键合层包括：

将第一氮化镓膜层与第二氮化镓膜层在10℃-40℃的室温条件下进行键合形成键合层。

上述红光LED芯片制备方法中，直接在室温条件下对两个氮化镓膜层进行键合，避免高温键合过程中温度对红光外延层的损伤，有利于提升红光LED芯片的品质。