[发明专利]显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202010830432.0 | 申请日: | 2020-08-18 |
公开(公告)号: | CN111969012A | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | 毛祖攀;马伟杰;都智;段梦丛;马杰;邱鑫;范文志;陈涛;施文峰;蔡伟民;陆海峰 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56;G06F3/041 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 方晓燕 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,包括显示区和非显示区,其特征在于,所述显示面板包括:
阴极层;
第一绝缘层,所述第一绝缘层设置于所述阴极层一侧表面,所述第一绝缘层在所述非显示区开设有第一过孔;
第一导电层,所述第一导电层设置于所述第一绝缘层远离所述阴极层一侧的表面,所述第一导电层穿过所述第一过孔与所述阴极层电连接;
所述第一导电层位于所述非显示区。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第二绝缘层,所述第二绝缘层设置于所述第一导电层远离所述第一绝缘层一侧的表面,所述第二绝缘层在所述非显示区开设有第二过孔;
第二导电层,所述第二导电层设置于所述第二绝缘层远离所述第一导电层一侧的表面,所述第二导电层穿过所述第二过孔与所述第一导电层电连接;
所述第二导电层位于所述非显示区。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括位于显示区的第一触控层和第二触控层,其中:
第一触控层,所述第一触控层与所述第一导电层同层设置且相互绝缘,所述第一触控层位于所述第一绝缘层远离所述阴极一侧的表面,所述第二绝缘层覆盖所述第一触控层和第一导电层;
第二触控层,所述第二触控层与所述第二导电层同层设置且相互绝缘,所述第二触控层位于所述第二绝缘层远离所述第一触控层一侧的表面。
4.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括设置于所述阴极层和所述第一绝缘层之间的薄膜封装层,所述薄膜封装层开设有第三过孔,所述第一导电层穿过所述第三过孔与所述阴极层电连接。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一过孔在垂直于所述阴极层方向上的投影覆盖所述第三过孔在垂直于所述阴极层方向上的投影。
6.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述第一触控层和第一导电层材质相同,所述第二触控层和所述第二导电层材质相同。
7.一种显示面板的制备方法,所述显示面板包括显示区和非显示区,其特征在于,所述制备方法包括以下步骤:
在阴极层一侧表面形成第一绝缘层,所述第一绝缘层在所述非显示区开设有第一过孔;
在所述第一绝缘层远离所述阴极层一侧的表面形成第一导电层和第一触控层,所述第一导电层位于所述非显示区,所述第一导电层和所述第一触控层绝缘设置,所述第一导电层穿过所述第一过孔与所述阴极层电连接。
8.如权利要求7所述的制备方法其特征在于,所述制备方法还包括以下步骤:
在所述第一触控层和所述第一导电层远离所述第一绝缘层一侧的表面形成第二绝缘层,所述第二绝缘层在所述非显示区开设有第二过孔;
在所述第二绝缘层远离所述第一触控层和所述第一导电层一侧的表面形成第二导电层和第二触控层,所述第二导电层位于所述非显示区,所述第二导电层和所述第二触控层绝缘设置,所述第二导电层穿过所述第二过孔与所述第一导电层电连接;
优选地,所述第一触控层和第一导电层材质相同,所述第二触控层和所述第二导电层材质相同。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在所述阴极层和所述第一绝缘层之间形成所述薄膜封装层,所述薄膜封装层开设有第三过孔,所述第一导电层穿过所述第三过孔与所述阴极层电连接。
10.如权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述第二过孔在垂直于所述阴极层方向上的投影覆盖所述第三过孔在垂直于所述阴极层方向上的投影。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的