[发明专利]一种红光LED芯片及制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种红光LED芯片备方法，其特征在于，包括：

在置于生长基板的红光外延层上设置包含纳米金属线的空穴分散层，所述纳米金属线分散在所述空穴分散层中的粘合胶内，且至少均匀遍布所述空穴分散层靠近所述红光外延层的一侧；

采用结合层将所述空穴分散层与绝缘基板结合在一起并去除所述生长基板，以将所述红光外延层从生长基板转移至所述绝缘基板；

设置分别与所述红光外延层两个半导体层电连接的电极；

分解所述结合层，以使所述空穴分散层与所述绝缘基板分离。

2.如权利要求1所述的红光LED芯片备方法，其特征在于，所述采用结合层将所述空穴分散层与绝缘基板结合在一起包括：

在所述绝缘基板上设置氮化镓层作为结合层；

采用所述氮化镓层远离所述绝缘基板的一面接近所述空穴分散层，并贴合在所述空穴分散层上；

所述分解所述结合层包括：采用激光分解所述氮化镓层。

3.如权利要求2所述的红光LED芯片备方法，其特征在于，所述红光外延层用于形成多颗红光LED芯片；所述分解所述结合层之前，还包括：

对能用于形成多颗红光LED芯片的空穴分散层进行图形化处理，形成多个子空穴分散层，每个子空穴分散层用于形成一颗红光LED芯片，且各子空穴分散层之间存在间隙。

4.如权利要求1-3任一项所述的红光LED芯片备方法，其特征在于，所述纳米金属线为纳米银线。

5.如权利要求1-3任一项所述的红光LED芯片备方法，其特征在于，所述在置于生长基板的红光外延层上设置包含纳米金属线的空穴分散层包括：

获取空穴分散层；

将所述空穴分散层贴附在所述红光外延层上，所述空穴分散层与所述红光外延层接触的一侧分布有纳米金属线。

6.一种红光LED芯片，其特征在于，包括：

红光外延层；

空穴分散层；以及，

电极；

所述红光外延层中包括依次设置的第一半导体层、有源层与第二半导体层；所述空穴分散层贴合设置在所述第二半导体层上，所述空穴分散层包括粘合胶以及分散在所述粘合胶中的纳米金属线，且所述纳米金属线至少均匀遍布所述空穴分散层靠近所述红光外延层的一侧；所述电极包括第一电极与第二电极，其中，第一电极与所述第一半导体层连接，所述第二电极与所述空穴分散层连接。

7.如权利要求6所述的红光LED芯片，其特征在于，所述纳米金属线为纳米银线。

8.如权利要求6所述的红光LED芯片，其特征在于，所述粘合胶为丙烯酸类树脂。

9.如权利要求6-8任一项所述的红光LED芯片，其特征在于，纳米金属线仅分布于所述空穴分散层靠近所述红光外延层的一侧。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板中包括驱动电路板以及多颗如权利要求6-9任一项所述的红光LED芯片，所述红光LED芯片的电极与所述驱动电路板电连接。