[发明专利]用于电荷耗散的系统和方法在审
| 申请号： | 202010831051.4 | 申请日： | 2020-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN112563295A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 张闵 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张小稳 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 电荷 耗散 系统 方法 | ||
1.一种图像传感器，包括：
半导体基板；
抗反射涂覆ARC层，所述ARC层耦接在所述半导体基板上方；
电荷耗散结构，所述电荷耗散结构包括在所述ARC层内；和
钝化层，所述钝化层耦接在所述ARC层上方。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括耦接在所述ARC层上方的氧化铪层。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷耗散结构包括导电金属，所述导电金属被配置为收集静电荷并将所述静电荷引导到地。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷耗散结构包括栅格或多个基本上平行的条中的一者。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述电荷耗散结构的至少一部分接触接地式焊盘。
6.一种形成图像传感器的方法，所述方法包括：
提供半导体基板；
在所述半导体基板上方形成抗反射涂覆ARC层；
图案化所述ARC层以在其中形成多个沟槽；
将电荷耗散层形成到所述多个沟槽中；
将像素阵列区域蚀刻到所述电荷耗散层中；以及
在所述ARC层上方形成钝化层。
7.根据权利要求6所述的方法，还包括：
在所述ARC层上方形成氧化铪层；以及
在将所述像素阵列区域蚀刻到所述电荷耗散层中期间，使用所述氧化铪层作为蚀刻阻挡件。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述ARC层包括耦接在第一层上方的至少第二层，并且所述方法还包括使所述多个沟槽中的一个或多个沟槽完全延伸穿过所述ARC层的所述第一层。
9.一种形成图像传感器的方法，所述方法包括：
提供半导体基板；
在所述半导体基板上方形成抗反射涂覆ARC层；
在所述ARC层上方形成蚀刻阻挡层；
图案化所述ARC层以在其中形成多个沟槽；
将电荷耗散层形成到所述多个沟槽中；
将像素阵列区域蚀刻到所述电荷耗散层中；以及
在所述ARC层上方形成钝化层。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述ARC层包括耦接在第一层上方的至少第二层，并且所述方法还包括使所述多个沟槽中的一个或多个沟槽完全延伸穿过所述ARC层的所述第一层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司，未经半导体元件工业有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
