[发明专利]用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法

权利要求书

1.一种用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的制备方法，所述方法包括以下步骤：

第一步骤中，机械加工用于模拟绝缘子嵌件分层缺陷的试样的内嵌件，内嵌件与环氧树脂接触的接触面的表面粗糙度小于Ra1.6，所述内嵌件的表面由三段圆弧平滑过渡形成；

第二步骤中，内嵌件的表面均匀涂抹脱模剂；

第三步骤中，将所述内嵌件与模具组装，按照真空脱泡浇注工艺分别进行真空浇注环氧树脂、一次固化、脱模和二次固化形成试样；

第四步骤中，机械加工所述试样以去除浇注口及表面缺陷；

第五步骤中：所述试样进行X射线探伤以检测绝缘子嵌件分层缺陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，绝缘子包括盆式绝缘子或三支柱绝缘子。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，绝缘子嵌件分层缺陷为气体绝缘封闭组合电器绝缘子的嵌件分层缺陷或气体绝缘输电线路的绝缘子的嵌件分层缺陷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，第二步骤中，所述脱模剂包括有机氟系脱模剂或硅油。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，第三步骤中，一次固化或二次固化的体积收缩率在2％至7％之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，内嵌件由铝合金制成。