[发明专利]电子器件

权利要求书

1.一种电子器件，包括：

源极端子；

栅极端子；以及

保护电路，所述保护电路包括：

栅极区段，所述栅极区段包括第一电极和第二电极，其中所述栅极区段的所述第一电极耦接到所述栅极端子；

源极区段，所述源极区段包括第一电极和第二电极，其中所述源极区段的所述第一电极耦接到所述源极端子；以及

保护开关，所述保护开关包括控制电极、耦接到所述栅极端子的第一载流电极以及耦接到所述源极端子的第二载流电极，

其中所述栅极区段的所述第二电极、所述源极区段的所述第二电极以及所述保护开关的所述控制电极彼此耦接。

2.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

所述栅极区段包括第一二极管，所述第一二极管具有作为所述栅极区段的所述第二电极的阴极，并且

所述源极区段包括第二二极管，所述第二二极管具有作为所述源极区段的所述第二电极的阴极。

3.根据权利要求2所述的电子器件，其中：

(1)所述第一二极管包括第一栅极二极管，所述第一栅极二极管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中所述第一栅极二极管的所述漏极电极和所述第一栅极二极管的所述栅极电极彼此耦接，并且所述第一栅极二极管的所述源极电极耦接到所述保护开关的所述控制电极，

(2)所述第二二极管包括第二栅极二极管，所述第二栅极二极管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中所述第二栅极二极管的所述漏极电极耦接到所述保护开关的所述控制电极，并且所述第二栅极二极管的所述栅极电极和所述第二栅极二极管的所述源极电极彼此耦接，或者

(1)和(2)两者。

4.根据权利要求1所述的电子器件，其中：

(1)所述栅极区段包括：

第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极；以及

第一二极管，所述第一二极管包括阴极和阳极，

其中：

所述第一晶体管的所述漏极电极、所述第一二极管的所述阳极以及所述栅极端子彼此耦接，

所述第一晶体管的所述栅极电极耦接到所述第一二极管的所述阴极；并且

所述第一晶体管的所述漏极电极耦接到所述保护开关的所述控制电极，

(2)所述源极区段包括：

第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极；以及

第二二极管，所述第二二极管包括阴极和阳极，

其中：

所述第二晶体管的所述漏极电极耦接到所述保护开关的所述控制电极，

所述第二晶体管的所述栅极电极耦接到所述第二二极管的所述阴极；并且

所述第二晶体管的所述源极电极、所述第二二极管的所述阳极以及所述源极端子彼此耦接，或者

(1)和(2)两者。

5.根据权利要求1所述的电子器件，其中所述保护电路还包括：

(1)第一晶体管，所述第一晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中：

所述第一晶体管的所述漏极电极、所述第一晶体管的所述栅极电极以及所述保护开关的所述控制电极在第一节点处电连接，并且

所述第一晶体管的所述源极电极和所述源极端子在第二节点处电连接；

(2)第二晶体管，所述第二晶体管包括漏极电极、栅极电极和源极电极，其中：

所述第二晶体管的所述漏极电极和所述栅极端子在第三节点处电连接；并且

所述第二晶体管的所述栅极电极、所述第二晶体管的所述源极电极以及所述保护开关的所述控制电极在第四节点处电连接，或者

(1)和(2)两者。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子器件，还包括：

漏极端子；以及

电源开关，所述电源开关包括耦接到所述漏极端子的漏极电极、耦接到所述栅极端子的栅极电极以及耦接到所述源极端子的源极电极。

7.根据权利要求6所述的电子器件，其中所述电源开关具有V_TH，并且所述保护电路被配置为使得当V_GS大于V_TH时所述保护开关导通。