[发明专利]去胶方法

权利要求书

1.一种去胶方法，其特征在于，包括：采用等离子体去除晶圆上的光刻胶的过程中，控制晶圆在去胶设备的反应腔内进行升降运动，以调节所述反应腔内等离子体的分布情况，避免等离子体的分布相对集中对所述反应腔造成损伤。

2.如权利要求1所述的去胶方法，其特征在于，所述晶圆设置在所述反应腔的基台上，所述基台上设置有升降装置。

3.如权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述升降装置包括若干顶针，通过运动式调节所述顶针的高度实现晶圆在所述反应腔内的升降运动。

4.如权利要求3所述的去胶方法，其特征在于，所述顶针不全设置于同一条直线。

5.如权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述晶圆升降运动包括：从所述基台所在的位置向上运动、从一设定高度向所述基台的位置运动或者在所述基台所在的位置和所述设定高度之间往返运动。

6.如权利要求5所述的去胶方法，其特征在于，所述晶圆的运动速度为0.1mm/s-0.5mm/s。

7.如权利要求2所述的去胶方法，其特征在于，所述基台上设置有反应罩，所述反应罩的外壁周向绕设一电感线圈，所述反应罩的顶部设置有分气盘以通入工艺气体，所述分气盘和所述基台之间设置有喷淋头以将所述反应腔分隔为上下分布且相互连通的第一腔体和第二腔体。

8.如权利要求7所述的去胶方法，其特征在于，所述升降装置的调节高度小于所述基台和所述喷淋头之间的距离。

9.如权利要求7所述的去胶方法，其特征在于，所述工艺气体包括O2、H2及N2的混合气体。

10.如权利要求7所述的去胶方法，其特征在于，所述反应罩包括钟形石英罩。