[发明专利]一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法

说明书

本发明公开了一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法，包括以上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、以下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。使用PET为衬底基材进行磁控溅射镀膜，与电致变色材料进行贴合，通过导电的装饰膜进行多层结构贴合，复合型的电子变色材料的合成更为简便，能获得具有多色显色、宽光谱及快相应的优点，导电功能在实际工作中稳定性较好，并且使生产过程中良率高，降低成本，再结合上镀膜层，能满足客户的高标准要求，适应市场需求，能够广泛适用于各种PET基材以及玻璃基材上，同时还能够解决城市污染问题，节能环保。

技术领域

本发明涉及一种用于电致变色的装饰膜及其制备方法。

背景技术

目前一般衬底材料是普通玻璃片，经过溅射镀铟锡氧膜，作为阴极电极，氧化钨膜，二氧化硅膜等。

由于一般都是直接在玻璃进行镀膜，由于产品最终是在空气中使用，直接在玻璃上镀膜透过率偏低，溅射镀成本高，合格良率低，防爆功能弱，不易大规模生产。

发明内容

本发明需要解决的技术问题是提供一种用于电致变色的装饰膜。

为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种用于电致变色的装饰膜，包括将上薄膜层作为衬底基材的上镀膜层、电致变色层、将下薄膜层作为衬底基材的下镀膜层，所述上镀膜层，所述下镀膜层分别贴合覆盖在所述电致变色层两侧面形成一体。

在某些实施方式中，所述上镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层上面的HC加硬层、通过涂布工艺涂设在所述上薄膜层的下面的上IM消影层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上IM消影层下面的上二氧化硅层、通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上氧化铟锡层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上AZO（氧化锌铝）层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述上二氧化硅层下面的上MTO（氧化锰和氧化铟的混合物）层，所述上氧化铟锡层、所述上AZO层或者所述上MTO层贴设于所述电致变色层的上面，其中，所述上氧化铟锡层中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述上AZO层中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述上MTO层中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。

在某些实施方式中，所述上IM消影层的厚度为600-900nm, 折射率在1.47～1.7，所述HC加硬层的厚度为1-5um, 折射率在1.47～1.65，所述上二氧化硅层和所述上氧化铟锡层或者所述上AZO层或者所述上MTO层的总厚度为10-20nm。

在某些实施方式中，所述下镀膜层还包括通过涂布工艺涂设在所述下薄膜层上面的下IM消影层，通过磁控溅射工艺镀设在所述下IM消影层上面的下二氧化硅层，通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下氧化铟锡层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下AZO层、或者通过磁控溅射工艺镀设在所述下二氧化硅层上面的下MTO层，所述下氧化铟锡层、所述下AZO层或者所述下MTO层贴设于所述电致变色层的下面，其中，所述下氧化铟锡层中氧化铟含量为90-97%，氧化锡含量为3-10%；所述下AZO层中氧化铝含量为1-10%，氧化锌含量为90-99%，所述下MTO层中氧化锰含量为2-10%，氧化铟含量为90-98%。

在某些实施方式中，所述下薄膜层的下面具有UV压印层。

在某些实施方式中，所述下IM消影层的厚度为600-900nm,所述下二氧化硅层和所述下氧化铟锡层或者所述下AZO层或者所述下MTO层的总厚度为10-20nm。

在某些实施方式中，所述上薄膜层的材质为PET、PC、COP或者PI，所述下薄膜层的材质为PET、PC、COP或者PI。

在某些实施方式中，所述电致变色层为离子导电层、电子绝缘的解质层或者导电聚合物层。