[发明专利]稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体及其制备和实现激光的方法有效

专利信息
申请号: 202010834575.9 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN112144119B 公开(公告)日: 2022-04-01
发明(设计)人: 颜涛;叶宁;陈昱;陈开创 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/10 分类号: C30B29/10;C30B15/00;C30B28/02;H01S3/16;H01S3/0941
代理公司: 成都拓荒者知识产权代理有限公司 51254 代理人: 杨争华
地址: 350002 *** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 稀土 掺杂 硼酸 激光 晶体 及其 制备 实现 方法
【权利要求书】:

1.一种稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体,其特征在于,以氟硼酸钡钙BaCaBO3F为基质掺杂稀土离子,同时掺杂等量Li+或Na+制得;所述激光晶体的化学式为BaCa1-2xRExAxBO3F,其中RE=Pr或Dy或Sm,A=Li或Na,x的取值范围为0.01~0.02;通过添加稀土离子Pr3+或Dy3+或Sm3+取代基质中Ca所占的格位,同时掺杂等量的Li+或Na+满足电荷平衡,从而分别构成激光晶体材料BaCa1-2xPrxLixBO3F、BaCa1-2xPrxNaxBO3F、BaCa1-2xDyxLixBO3F、BaCa1-2xDyxNaxBO3F、BaCa1-2xSmxLixBO3F、BaCa1-2xSmxNaxBO3F;

所述BaCa1-2xPrxLixBO3F在450±5nm、或474±5nm、或487±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见橙光;所述BaCa1-2xPrxNaxBO3F在450±5nm、或474±5nm、或487±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见红光;所述BaCa1-2xDyxLixBO3F在428±5nm、或450±5nm、或472±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见黄光;所述BaCa1-2xDyxNaxBO3F在428±5nm、或450±5nm、或472±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见红光;所述BaCa1-2xSmxLixBO3F在440±5nm、或465±5nm、或474±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见绿光;所述BaCa1-2xSmxNaxBO3F在440±5nm、或465±5nm、或474±5nm波长的GaN基蓝光LD激发下,产生可见橙光。

2.一种稀土掺杂氟硼酸钡钙激光晶体的制备方法,其特征在于,包括:

①配料:按照BaCa1-2xRExAxBO3F化学计量比称取原料,其中RE=Pr或Dy或Sm,A=Li或Na,x的取值范围为0.01~0.02,原料采用Ba、Ca、RE、A、B的化合物;称取后的原料置于混料机中混合24小时;

②烧结:将步骤①中混合均匀的多晶原料压制成块,置于铂金坩埚中,在空气气氛下900~1000℃烧结10~50小时,获得多晶料块;

③晶体生长:将步骤②中制备的多晶料块压制成块,置于铂金生长坩埚内,在惰性气氛下,利用感应或电阻加热使原料充分熔化为均匀熔体,采用BaCaBO3F单晶作为籽晶,籽晶方向选取[100]或[001]方向;按照提拉法晶体生长工艺进行单晶生长,提拉法晶体生长工艺中采用提拉速度为0.5~1.5mm/h,采用旋转速度为5~15rpm;

④降温退火:所步骤③晶体生长结束后,以20~40℃/h的速率降至室温。

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