[发明专利]可调反射腔的射频压电谐振器及制备方法

权利要求书

1.一种可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，包括：谐振器衬底(1)、牺牲层(2)、磨平防刻蚀材料(5)、谐振器平板底电极(6)、谐振器压电材料(7)、谐振器交叉上电极(8)、压电层刻蚀窗口(9)及空气反射腔(10)；

所述谐振器衬底(1)能够支撑可调反射腔的射频压电谐振器；

所述牺牲层(2)形成于谐振器衬底(1)之上；所述磨平防刻蚀材料(5)形成于牺牲层(2)之中；

所述谐振器底电极(6)采用平板结构；

所述谐振器上电极(8)采用交叉结构；

所述谐振器底电极(6)能够交叉谐振器上电极(8)形成电场；

所述谐振器压电材料(7)采用压电薄膜材料；

所述压电层刻蚀窗口(9)包括：牺牲层入口单元；

所述牺牲层入口单元能够为湿法刻蚀所需的刻蚀气体或液体提供进入牺牲层的入口；

所述空气反射腔(10)能够将声波反射回谐振器平板底电极(6)、谐振器压电材料(7)之中。

2.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器衬底(1)能够阻挡垂直方向上的湿法刻蚀；

所述谐振器衬底(1)的电阻高于设定阈值；

所述谐振器衬底(1)采用任一种或者任多种材料的组合：

-高阻硅；

-单晶硅。

3.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述牺牲层(2)包括：牺牲层材料构件；

所述牺牲层材料构件能够被湿法刻蚀除去。

4.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器平板底电极(6)采用以下任一种材料：

-钼薄膜材料；

-钌薄膜材料；

-铂金薄膜材料。

5.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器交叉上电极(8)采用以下任一种材料：

-钼薄膜材料；

-钌薄膜材料；

-铂金薄膜材料。

6.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器交叉上电极(8)的数量为一个或者多个；

所述多个谐振器交叉上电极(8)的尺寸和形状相同；

所述多个谐振器交叉上电极(8)之间的距离相等。

7.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器底电极(6)采用以下任一种连接方式：

-接地；

-悬空底。

8.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述谐振器上电极(8)采用以下任一种连接方式：

-全接电；

-轮流接电；

-悬空底。

9.根据权利要求1所述的可调反射腔的射频压电谐振器，其特征在于，所述压电层刻蚀窗口(9)采用以下任一种方式形成：

-光刻胶作为掩模的干法刻蚀；

-介质作为掩模的干法刻蚀；

所述压电层刻蚀窗口(9)的深度能够到达谐振器底电极(6)。

10.一种可调反射腔的射频压电谐振器制备方法，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的可调反射腔的射频压电谐振器，包括：

步骤S1：制备谐振器衬底层；

步骤S2：在衬底上表面沉积一层牺牲层；

步骤S3：在牺牲层的上表面形成凹槽结构；

步骤S4：在凹槽和牺牲层2的表面填充防刻蚀材料，填充的高度至少大于凹槽的深度；

步骤S5：对防刻蚀材料进行打磨抛光操作，在牺牲层表面形成谐振器底电极平板；

步骤S6：在谐振器底电极平板上生成压电层材料；

步骤S7：进行谐振器上电极的形成；

步骤S8：利用干法刻蚀形成压电层刻蚀窗口；

步骤S9：衬底材料和防刻蚀材料围成的区域内牺牲层会被全部反应挥发掉，形成空气反射腔。