[发明专利]一种多通道相位校准电路和方法

权利要求书

1.一种多通道相位校准电路，其特征在于，包括：发射通道智能校准单元，相位数字控制器和接收通道智能校准单元；

所述发射通道智能校准单元作为相控阵芯片片外的一个测试校准模块，包括：多路合一功合器、第一功率检测器、第一极大值寄存器；

所述接收通道智能校准单元作为相控阵芯片片内的一个测试校准模块，包括：开关、第二功率检测器、第二极大值寄存器；

发射通道相位校准时，所述多路合一功合器的输出端连接至第一功率检测器的输入端，所述第一功率检测器的输出端连接至第一极大值寄存器的输入端，所述第一极大值寄存器的输出端连接至相位数字控制器的一个输入端；

接收通道相位校准时，开关闭合，输入来自相控阵芯片的多路合一功合器，输出功率至第二功率检测器的输入端，所述第二功率检测器的输出端连接至第二极大值寄存器的输入端，所述第二极大值寄存器的输出端连接至所述相位数字控制器的另一个输入端。

2.根据权利要求1所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述第一极大值寄存器包括：第一寄存器和第一比较器，所述第一比较器用于比较所述第一寄存器存储的过去功率检测器输出的极大值和当前功率检测器输出值。

3.根据权利要求1所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述第二极大值寄存器包括：第二寄存器和第二比较器，所述第二比较器用于比较所述第二寄存器存储的过去功率检测器输出的极大值和当前功率检测器输出值。

4.根据权利要求1所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述相位数字控制器包括：2^N个相位控制寄存器，其中1态相位控制寄存器PS1存储第1个相位状态的相位控制字，2态相位控制寄存器PS2存储第2个相位状态的相位控制字，3态相位控制寄存器PS3存储第3个相位状态的相位控制字，4态相位控制寄存器PS4存储第4个相位状态的相位控制字，以此类推，2^N态相位控制寄存器PS2^N存储第2^N个相位状态的相位控制字。

5.根据权利要求4所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述每个相位控制字的字长S位，相位控制寄存器改变S位的存储值，以进行控制字更改。

6.根据权利要求1所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述相位数字控制器的一个输入端连接发射移相器。

7.根据权利要求1所述的多通道相位校准电路，其特征在于，所述相位数字控制器的另一个输入端连接接收移相器。

8.一种多通道相位校准方法，其特征在于，包括：

首先，搭建多通道相位校准电路：将发射通道智能校准单元作为相控阵芯片片外的一个测试校准模块，包括：多路合一功合器、第一功率检测器、第一极大值寄存器；将接收通道智能校准单元作为相控阵芯片片内的一个测试校准模块，包括：开关、第二功率检测器、第二极大值寄存器；

其次，将多路合一功合器的输出端连接至第一功率检测器的输入端，所述第一功率检测器的输出端连接至第一极大值寄存器的输入端，所述第一极大值寄存器的输出端连接至相位数字控制器的一个输入端，进行发射通道相位校准；

然后，使开关闭合，输入来自相控阵芯片的多路合一功合器，输出功率至第二功率检测器的输入端，所述第二功率检测器的输出端连接至第二极大值寄存器的输入端，所述第二极大值寄存器的输出端连接至所述相位数字控制器的另一个输入端，进行接收通道相位校准。