[发明专利]包括导电凸块的半导体封装件

说明书

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括包含第一贯穿电极的第一半导体芯片。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上。第二半导体芯片包括第二贯穿电极。多个导电凸块置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。导电凸块将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接。填充支撑层至少部分地覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面，并且至少部分地填充导电凸块之间的空间。粘合层设置在填充支撑层上，至少部分地填充导电凸块之间的所述空间并且将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此粘附。

本申请要求于2019年9月11日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10-2019-0112510号韩国专利申请的优先权的权益，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件，更具体地，涉及一种包括导电凸块的半导体封装件及其制造方法。

背景技术

在制造包括通过贯穿电极彼此电连接的半导体芯片的多芯片封装件中，在使用基底支撑系统将晶圆支撑在载体基底上之后，可以研磨晶圆的背面以减小晶圆的厚度。然而，因为晶圆在研磨工艺期间可能翘曲或损坏，所以晶圆的厚度可以安全地减小多少会存在限制。

发明内容

根据本公开的示例性实施例，半导体封装件包括包含第一贯穿电极的第一半导体芯片。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上，并且第二半导体芯片包括第二贯穿电极。多个导电凸块置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间，并且将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接。填充支撑层覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的第一表面，并且填充导电凸块之间的空间。粘合层设置在填充支撑层上，并且填充导电凸块之间的所述空间并将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此粘附。

根据本公开的示例性实施例，半导体封装件包括包含第一基底的第一半导体芯片，第一基底具有第一表面以及与第一表面背对的第二表面。第一结合垫设置在第一表面上。第一贯穿电极穿透通过第一基底并电连接到第一结合垫。第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片的第二表面上，并且包括具有第三表面以及与第三表面背对的第四表面的第二基底。第三结合垫设置在第三表面上。第二贯穿电极穿透通过第二基底并电连接到第三结合垫。多个导电凸块置于第一半导体芯片与第二半导体芯片之间并且将第一贯穿电极和第二贯穿电极彼此电连接。间隙填充材料层设置在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间以填充导电凸块之间的空间。间隙填充材料层包括至少部分地覆盖第二半导体芯片的面对第一半导体芯片的前侧的第一材料的填充支撑层和粘附到填充支撑层的第二材料的粘合层。

根据本公开的示例性实施例，半导体封装件包括封装件基底。第一半导体芯片堆叠在封装件基底上，并且包括具有第一表面以及与第一表面背对的第二表面的第一基底。第一结合垫设置在第一表面上。第一贯穿电极穿透通过第一基底并电连接到第一结合垫。多个导电凸块分别布置在封装件基底的基底垫与第一半导体芯片的第一结合垫之间。填充支撑层涂覆在第一半导体芯片的第一表面上，并且覆盖导电凸块的侧表面。粘合层设置在填充支撑层上，至少部分地覆盖导电凸块的所述侧表面，并且将封装件基底和第一半导体芯片粘合。

根据本公开的示例性实施例，在制造半导体封装件的方法中，提供在其第一表面上具有第一结合垫的第一基底。分别在第一基底的第一结合垫上形成凸块。在第一基底的第一表面上形成填充支撑层以填充凸块之间的空间。在填充支撑层上涂覆粘合层。研磨第一基底的与第一表面背对的第二表面。使用粘合层将第一基底粘附到第二基底。

根据本公开的示例性实施例，半导体封装件可以包括顺序地堆叠在封装件基底上的至少两个第一半导体芯片和第二半导体芯片。第一半导体芯片和第二半导体芯片可以经由第一导电凸块和第二导电凸块被堆叠。具有不同材料的双层结构的间隙填充材料层可以分别填充在封装件基底与第一半导体芯片之间以及在第一半导体芯片与第二半导体芯片之间。间隙填充材料层可以分别完全填充第一导电凸块中的相邻凸块之间的空间以及第二导电凸块中的相邻凸块之间的空间。可选地，间隙填充材料层可以部分地填充这些空间。间隙填充材料层可以包括填充支撑层和粘合层。