[发明专利]一种应用于数模转换器的数控开关驱动电路有效

专利信息
申请号: 202010836075.9 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN112039526B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 高一格;王驰;周枭;谭萍 申请(专利权)人: 北京无线电测量研究所
主分类号: H03M1/34 分类号: H03M1/34
代理公司: 北京正理专利代理有限公司 11257 代理人: 付生辉
地址: 100851*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用于 数模转换器 数控 开关 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种应用于数模转换器的数控开关驱动电路,其特征在于,该电路包括:信号输入输出单元(1)和摆幅数控单元(2),

其中,

所述信号输入输出单元用于对输入信号的波形进行调整,所述信号输入输出单元包括:第一导电类型的第一MOS管(MN1)、第一导电类型的第二MOS管(MN2)、第一导电类型的第三MOS管(MN3)、第一导电类型的第四MOS管(MN4)和第二导电类型的第一MOS管(MP1)、第二导电类型的第二MOS管(MP2)、第二导电类型的第三MOS管(MP3)和第二导电类型的第四MOS管(MP4);

其中,

第一导电类型的第一MOS管(MN1)的栅极和第二导电类型的第一MOS管(MP1)的栅极接收第一输入信号(VP);

第一导电类型的第三MOS管(MN3)的栅极和第二导电类型的第四MOS管(MP4)的栅极接收第二输入信号(VN);

所述第一导电类型的第一MOS管(MN1)的源极和第一导电类型的第三MOS管(MN3)的源极都连接到地;

所述第二导电类型的第一MOS管(MP1)的源极和第二导电类型的第四MOS管(MP4)的源极接收电源电压;

所述第一导电类型的第二MOS管(MN2)的栅极和漏极短路连接;

第一导电类型的第四MOS管(MN4)的栅极和漏极短路连接;

第一导电类型的第二MOS管(MN2)的源极连接第一导电类型的第一MOS管(MN1)的漏极,第一导电类型的第二MOS管(MN2)的漏极连接第二导电类型的第一MOS管(MP1)的漏极;

第一导电类型的第四MOS管(MN4)的源极连接第一导电类型的第三MOS管(MN3)的漏极,第一导电类型的第四MOS管(MN4)的漏极连接第二导电类型的第四MOS管(MP4)的漏极;

所述第二导电类型的第二MOS管(MP2)的源极和第二导电类型的第三MOS管(MP3)的源极接收电源电压,第二导电类型的第二MOS管(MP2)的漏极连接第二导电类型的第一MOS管(MP1)的漏极;

第二导电类型的第三MOS管(MP3)的漏极连接第二导电类型的第四MOS管(MP4)的漏极;

第二导电类型的第二MOS管(MP2)的栅极和第二导电类型的第三MOS管(MP3)的栅极相互连接,并连接至所述摆幅数控单元;

第一输出信号(VOUTP)由第一导电类型的第四MOS管(MN4)的漏极输出,第二信号输出端的输出信号(VOUTN)由第一导电类型的第二MOS管(MN2)的漏极输出;

所述摆幅数控单元通过数字控制,调节所述输入输出单元输出信号的输出摆幅。

2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述摆幅数控单元包括:第一电流源(I1)、第一导电类型的第五MOS管(MN5)、第二导电类型的第五MOS管(MP5)和数字控制信号单元(20);

其中,

所述第一导电类型的第五MOS管(MN5)的栅极与漏极短路连接并连接到第一电流源(I1)的输出端,源极接地;

第一电流源(I1)的输入端接电源电压;

第一导电类型的第五MOS管(MN5)的栅极连接所述数字控制信号单元的第一端;

所述数字控制信号单元第二端连接至所述第二导电类型的第五MOS管(MP5)的漏极,所述第二导电类型的第五MOS管(MP5)的源极接电源电压,第二导电类型的第五MOS管(MP5)的栅极与漏极短路连接,并连接所述第二导电类型的第三MOS管(MP3)的栅极。

3.根据权利要求2所述的电路,其特征在于,所述数字控制信号单元(20)包括:

第一控制元件组,包括N个第一导电类型的MOS管;

第二控制元件组,包括M个第一导电类型的MOS管,其中N=M≥1;

其中,

所述N个第一导电类型的MOS管中的所有MOS管的漏极连接到所述第二端,所述N个第一导电类型的MOS管中的所有MOS管的栅极分别接收各自的控制信号,用于调节所述第二端的电压值,进而控制所述第一输出信号和第二输出信号的摆幅;

所述M个第一导电类型的MOS管中的所有MOS管的源极连接到地,栅极连接到所述第一端;

所述N个第一导电类型的MOS管中的第n个MOS管的源极与所述M个第一导电类型的MOS管中的第m个MOS管的漏极连接,其中1≤n=m≤N=M。

4.根据权利要求1-3任一项所述的电路,其特征在于,第一导电类型的MOS管和第二导电类型的MOS管为:

NMOS管和PMOS管;或者

PMOS管和NMOS管。

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