[发明专利]MOF衍生的Ni-Co-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极制备方法及其应用有效
申请号: | 202010836383.1 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN112216520B | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 刘瑜;马振林 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | H01G11/30 | 分类号: | H01G11/30;H01G11/24;H01G11/86 |
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地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | mof 衍生 ni co 纳米 颗粒 生长 碳布上 复合 电极 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上(CC@CoNi-S)的复合电极制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
A. 配制摩尔浓度为0.25mol/L的Ni(NO3)2、0.5 mol/L Co(NO3)2和0.1mol/L乙酸钠的聚乙二醇溶液,后加入超声均匀,其中所述Co(NO3)2、Ni(NO3)2和乙酸钠在聚乙二醇溶液中以体积比1:1:0.4~1.2:1.2:0.4混合搅拌均匀,将混合液转移到反应釜中,浸入烘干的碳布180℃恒温16h,自然冷却至室温取出并用去离子水和乙醇交替洗涤、干燥;
B. 将浸渍后的碳布浸入经超声分散均匀的0.4 mol/L 2-甲基咪唑溶液中0.5h~6h,得到生长有CoNi-MOF的碳布,即CC @ CoNi-MOF复合材料;
C. 硫代乙酰胺与无水乙醇以固液比为1~2mg:1~3mL超声分散均匀,转移至反应釜并浸入CC @ CoNi-MOF复合材料,90℃~120℃恒温1~3h,自然冷却至室温,取出,用去离子水和乙醇交替洗净,真空60℃干燥24h得到CC @ CoNi-S复合电极。
2.根据权利要求1所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极制备方法,其特征在于:步骤A中所述Co(NO3)2、Ni(NO3)2和乙酸钠在聚乙二醇溶液中以体积比1:1:0.4混合搅拌均匀。
3.根据权利要求1所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极制备方法,其特征在于:步骤B中所述将浸渍后的碳布浸入经超声分散均匀的0.4 mol/L 2-甲基咪唑溶液中2h。
4.根据权利要求1所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极制备方法,其特征在于:步骤C中所述硫代乙酰胺与无水乙醇以固液比为2mg:3mL超声分散均匀。
5.根据权利要求1所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极制备方法,其特征在于:步骤C中所述转移至反应釜并浸入CC @ CoNi-MOF复合材料,120℃恒温2h。
6.根据权利要求1-5任一所述方法制备得到的MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极。
7.根据权利要求6所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极,其特征在于:微观状态下表面负载有线状纳米阵列中附着中空多面体结构。
8.一种如权利要求6所述MOF衍生的CoNi-S纳米颗粒生长在碳布上的复合电极的应用,其特征在于:将所制得CC@CoNi-S复合材料作为超级电容器电极材料。
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