[发明专利]阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；

于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层；

清洗所述半导体层；

在所述半导体层上形成一第二金属层；以及

图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，所述非晶硅层位于所述n型半导体层与所述闸极介电层之间，所述第二金属层接触所述n型半导体层。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，清洗液包括二甲基亚砜与乙醇胺，二甲基亚砜的浓度介于60％与80％之间，乙醇胺的浓度介于20％与40％之间，清洗时间介于75秒与95秒之间。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在清洗所述半导体层的步骤中，还包括：

同时以一光线照射所述半导体层，其中所述光线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯。

5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述光线为极紫外线。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二金属层之前，所述半导体层的留置时间小于6小时。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一金属层或所述第二金属层为金属或其合金所构成的单层或多层结构。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：

形成一钝化层覆盖于所述源极与所述漏极上；

形成一通孔于所述钝化层，以曝露出部分的所述源极或所述漏极；及

形成一电极层于所述钝化层上，其中所述电极层填入所述通孔而接触所述源极或所述漏极。

9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括4道光罩。

10.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在一基材上形成图案化的一第一金属层，其中图案化的所述第一金属层包括至少一闸极线与至少一闸极，所述闸极线与所述闸极连接；

于所述第一金属层上依序形成一闸极介电层与一半导体层，其中所述半导体层包括一非晶硅层与一n型半导体层，所述非晶硅层位于所述n型半导体层与所述闸极介电层之间；

清洗所述半导体层，或清洗所述半导体层同时以一极紫外线照射所述半导体层，其中所述极紫外线照射时间为40～85秒，照度为80～150勒克斯；

在所述半导体层上形成一第二金属层，其中所述第二金属层接触所述n型半导体层；以及

图案化所述第二金属层，以形成至少一数据线与至少一薄膜晶体管，其中所述数据线与所述闸极线交错设置，且所述数据线与所述薄膜晶体管的一源极或一漏极连接。