[发明专利]能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2 有效
| 申请号： | 202010836781.3 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN111952363B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 程晓敏;夏泽瑛;张瑾;冯金龙;童浩;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人： | 张宇娟 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 拓扑 绝缘体 表面 调控 晶格 gete sb base sub | ||
【权利要求书】：
1.一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，在初始超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料中加入掺杂元素，所述掺杂元素包括锰Mn或铬Cr或钐Sm中的至少一种，以破坏所述超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料的时间反演对称性，使得其表面能带结构的狄拉克点打开，同时产生能带自旋劈裂现象，所述掺杂元素掺杂在Sb2Te3子层内，或掺杂在GeTe子层内，或同时掺杂在Sb2Te3子层和GeTe子层内，所述掺杂元素在超晶格结构中的掺杂方式，为替位掺杂和/或间隙掺杂。
2.根据权利要求1所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，所述自旋劈裂现象对应的能带自旋劈裂大于100meV。
3.根据权利要求2所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，所述掺杂元素的原子个数掺杂浓度不超过15％。
4.根据权利要求1-3任一项所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，所述掺杂后的超晶格材料为薄膜或块材。
5.根据权利要求1-3任一项所述的一种能实现拓扑绝缘体表面态调控的超晶格[GeTe/Sb2Te3]n材料，其特征在于，其制备方法为物理沉积或化学沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010836781.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
