[发明专利]字线驱动器电路以及相关联的方法、装置和系统

权利要求书

1.一种字线驱动器电路，其包含：

电路，所述电路被配置成：

基于第一固定电源电压并且响应于接收到触发活动模式的控制信号而生成箝位电压；以及

在所述活动模式期间基于所述箝位电压生成内部全局字线电压；

至少一个主字线驱动器，所述主字线驱动器被配置成接收所述内部全局字线电压并且生成全局字线电压；以及

至少一个子字线驱动器，所述子字线驱动器被配置成接收所述全局字线电压并生成字线电压。

2.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述电路、所述至少一个主字线驱动器和所述至少一个子字线驱动器中的一或多个中的能量泄漏在所述活动模式期间降低所述箝位电压。

3.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述电路进一步被配置成：

响应于接收到包括触发预充电模式的预充电命令的第二不同控制信号，生成基本上等于所述第一固定电源电压的第二固定电源电压；以及

在所述预充电模式期间基于所述第二固定电源电压生成所述内部全局字线电压。

4.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述控制信号包括激活所述至少一个主字线驱动器中的主字线驱动器的活动控制信号。

5.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述电路包含电源电压生成电路，所述电源电压生成电路包含：

第一晶体管，所述第一晶体管具有被配置成接收所述控制信号的栅极、耦合到所述第一固定电源电压的漏极以及耦合到第一节点的源极；以及

第二晶体管，所述第二晶体管具有耦合到所述第一节点的栅极、耦合到所述第一固定电源电压的漏极以及耦合到所述第一节点的源极。

6.根据权利要求5所述的字线驱动器电路，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管中的每一个都包含P型金属氧化物半导体PMOS晶体管。

7.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述至少一个主字线驱动器中的每个主字线驱动器都包含：

第一晶体管，所述第一晶体管具有耦合到解码逻辑的栅极、被配置成接收所述内部全局字线电压的漏极以及耦合到第一节点的源极；

第二晶体管，所述第二晶体管具有被配置成接收另一内部全局字线电压的栅极、耦合到所述第一节点的源极和被配置成接收负字线电压的漏极；

第三晶体管，所述第三晶体管具有被配置成接收所述内部全局字线电压的栅极和耦合到所述第一节点的源极；以及

第四晶体管，所述第四晶体管具有耦合到解码逻辑的栅极和漏极以及耦合到所述第三晶体管的漏极的源极。

8.根据权利要求1所述的字线驱动器电路，其中所述至少一个子字线驱动器中的每个子字线驱动器包含：

第一晶体管，所述第一晶体管具有被配置成接收所述全局字线电压的漏极、耦合到第一字线的源极；以及栅极端子，所述栅极端子被配置成接收第一相位信号；

第二晶体管，所述第二晶体管具有被配置成接收所述全局字线电压的源极、耦合到字线的漏极以及被配置成接收第二相位信号的栅极端子；以及

第三晶体管，所述第三晶体管具有耦合到所述字线的源极、耦合到负字线电压的漏极以及被配置成接收所述第一相位信号的栅极。

9.根据权利要求8所述的字线驱动器电路，其中所述第一晶体管包含P型金属氧化物半导体PMOS晶体管，并且所述第二晶体管和所述第三晶体管中的每一个都包含N型金属氧化物半导体NMOS晶体管。

10.一种操作存储器装置的方法，其包含：

经由预解码器基于箝位电压生成内部全局字线电压；

将所述内部全局字线电压从所述预解码器传送到一或多个主字线驱动器；

经由所述一或多个主字线驱动器中的主字线驱动器基于所述内部全局字线电压生成全局字线电压；以及

将所述全局字线电压传送到至少一个子字线驱动器。