[发明专利]一种高频低阻电解电容及其加工方法

权利要求书

1.一种高频低阻电解电容，其特征在于：包括电容本体(1)，所述电容本体(1)的内部设置有外壳(2)，所述外壳(2)的顶部设置有正极柱(3)，所述外壳(2)的顶部设置有负极柱(4)，所述外壳(2)的内部设置有电容芯，所述电容芯包括正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)，且隔膜(8)位于正极膜(7)和负极膜(9)之间。

2.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)的顶部开有两个插接孔(10)，所述正极柱(3)和负极柱(4)的均分别插接在两个插接孔(10)的内部，所述插接孔(10)的内设置有绝缘圈(11)，且两个绝缘圈(11)分别套接在正极柱(3)和负极柱(4)上。

3.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)的外壳设置有包装皮(5)，所述电容本体(1)的外部设置有弧形槽(6)。

4.根据权利要求1所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述外壳(2)包括有铝壳(12)，所述铝壳(12)的一侧设置有加强层(13)，所述加强层(13)的一侧设置有防爆层(14)，所述铝壳(12)位于外壳(2)的外壁上。

5.根据权利要求4所述的一种高频低阻电解电容，其特征在于：所述防爆层(14)的一侧设置有隔离层(15)，所述隔离层(15)的一侧设置有绝缘层(16)，且绝缘层(16)位于外壳(2)的内壁上。

6.一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.绕卷：通过电解电容生产绕卷机进行对正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)进行绕卷，使正极膜(7)、隔膜(8)和负极膜(9)形成电容芯；

S2.焊接：将正极柱(3)和负极柱(4)均焊接在电容本体(1)的内部，且正极柱(3)和负极柱(4)分别与正极膜(7)和负极膜(9)连通；

S3.加电：对正极柱(3)和负极柱(4)进行通电，同时将电容芯放入到化成液内，化成液为己二酸铵系化成液或硼酸系化成液的其中一种或多种，电容芯通电时浸入化成液时间为10-20min；

S4.加负压：将化成之后的电容芯放置在真空仓内，启动真空仓，将真空仓内的真空度为60-85kPa的负压，在负压条件下，将化成修复处理后的芯包含浸导电聚合物分散液；

S5.第一烘干：将化成修复处理后的电容芯放入包含浸导电聚合物分散液内，之后将放入到烘干箱内进行烘干；

S6.处理剂：将烘干之后的电容芯放入到处理剂内进行浸泡；

S7.第二烘干：将浸泡处理剂之后的电容芯取出，然后将电容芯放入烘干箱内进行烘干；

S8.封装外壳：将电容芯放入到外壳(2)的内部形成电容本体(1)，使用挤压机进行对外壳(2)进行挤压，使其电容本体(1)的外部形成弧形槽(6)；

S9.外壳塑封：将包装皮(5)套接在外壳(2)的内部，之后通过塑封机对包装皮(5)吹风塑封在电容本体(1)的外部。

7.根据权利要求6所述的一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：所述S6中，电容芯浸后处理剂的时间为2-8min，电容芯浸后处理剂的循环次数为2-6次。

8.根据权利要求6所述的一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：所述S5和S6中，第一烘干的烘干箱温度设置在100-180℃，烘干的时间1-2.5h，第二烘干的烘干箱温度为90-220℃，二次烘干的时间为1-2.5h。

9.根据权利要求6所述的一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：所述S6中，处理剂为丙三醇、异丙醇、二甲基亚枫、山梨醇和N,N-二甲基甲酰胺中的一种或几种混合体。

10.根据权利要求6所述的一种高频低阻电解电容加工方法，其特征在于：所述S9中，塑封机的温度调试在150-200℃，吹风时间为2-3秒。