[发明专利]一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置有效
申请号: | 202010838675.9 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN111952323B | 公开(公告)日: | 2022-07-22 |
发明(设计)人: | 史鲁斌;秦斌;陈亮;刘冬妮;张方振;王珂 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L27/32;H01L33/62;H01L21/77 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 制备 方法 显示装置 | ||
本申请提供了一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置,其中显示基板包括衬底以及在衬底一侧的第一平坦层;在第一平坦层背离衬底一侧的第一金属层;在第一金属层和第一平坦层背离衬底一侧的第二平坦层;在第二平坦层背离衬底一侧的第二金属层;其中,第一金属层包括第一金属走线,第二金属层在衬底上的正投影与第一金属走线在衬底上的正投影有交叠,第二平坦层在衬底上的正投影覆盖第一金属走线在衬底上的正投影。本申请技术方案通过在第一金属走线与第二金属层有交叠的位置,设置第二平坦层包裹第一金属走线的结构,能够有效地避免第一金属走线与第二金属层之间的短路不良。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置。
背景技术
LED由于其亮度高、色域大、寿命长等优点,在LED照明及显示等方面具有广泛的应用。近年来,随着Mini-LED和Micro-LED芯片技术的进一步成熟,AM Mini-LED和AM Micro-LED显示技术引起了广泛的关注。LED驱动背板是驱动LED发光和实现灰阶显示的主要载体,是LED显示技术开发的重点。
与OLED相比,LED发光所需的驱动电流更大,对LED背板的驱动能力提出了更高的要求。因此,与LCD及OLED阵列基板的器件结构相比,LED基板的器件结构更为复杂,LED基板中出现了两层SD以及两层Resin的复杂交叠膜层结构,属于非常规器件结构。在制备的过程中,两层SD金属之间容易发生短路不良,导致良品率较低。
发明内容
本发明提供一种显示基板的制备方法、显示基板及显示装置,以提升产品良率。
为了解决上述问题,本发明公开了一种显示基板,所述显示基板包括:
衬底,以及在所述衬底一侧的第一平坦层;
在所述第一平坦层背离所述衬底一侧的第一金属层;
在所述第一金属层和所述第一平坦层背离所述衬底一侧的第二平坦层;
在所述第二平坦层背离所述衬底一侧的第二金属层;
其中,所述第一金属层包括第一金属走线,所述第二金属层在所述衬底上的正投影与所述第一金属走线在所述衬底上的正投影有交叠,所述第二平坦层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一金属走线在所述衬底上的正投影。
在一种可选的实现方式中,所述显示基板还包括所述第二平坦层和所述第二金属层之间的钝化层,所述钝化层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二平坦层在所述衬底上的正投影。
在一种可选的实现方式中,所述第一金属层还包括绑定块,所述绑定块与所述第一金属走线绝缘分立设置,所述第二金属层包括走线区域以及与所述走线区域连接的绑定区域,所述走线区域在所述衬底上的正投影与所述钝化层在所述衬底上的正投影完全重叠,所述绑定区域在所述衬底上的正投影位于所述绑定块在所述衬底上的正投影区域内。
在一种可选的实现方式中,所述第二金属层的绑定区域与所述绑定块接触。
在一种可选的实现方式中,所述绑定块在所述衬底上的正投影与所述第二平坦层在所述衬底上的正投影有交叠。
在一种可选的实现方式中,所述绑定块在所述衬底上的正投影与所述钝化层在所述衬底上的正投影有交叠。
在一种可选的实现方式中,所述绑定块在所述衬底上的正投影与所述绑定区域在所述衬底上的正投影完全重叠。
在一种可选的实现方式中,在所述第一平坦层背离所述衬底的一侧设置有凹槽,所述凹槽位于所述第一平坦层未被所述第一金属走线和所述绑定块覆盖的区域内,所述凹槽的深度大于所述第一金属层的厚度,且小于所述第一金属层与所述第一平坦层的厚度之和。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示装置,包括任一实施例所述的显示基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的