[发明专利]一种碳化外延层厚度的共聚焦拉曼光谱深度检测方法在审

专利信息
申请号: 202010838959.8 申请日: 2020-08-19
公开(公告)号: CN111965164A 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 徐宗伟;宋莹;刘涛;王虹;吴金桐;刘嘉宇 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 程毓英
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 碳化 外延 厚度 聚焦 光谱 深度 检测 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化外延层厚度的共聚焦拉曼光谱深度检测方法,所采用的测量仪器为共聚焦拉曼光谱仪,所述的共聚焦拉曼光谱仪主要包括激光光源、显微系统、Z向位移台,分光光谱仪、共聚焦针孔或狭缝、CCD探测器以及光谱分析软件,其中激光光源用来确定聚焦平面并激发样品的拉曼信号;显微系统包括白光光源和物镜,白光光源用来照明样品,物镜用来观察样品、寻找测试位置并聚焦激光;Z向位移台用于实现垂直于水平面方向的样品移动,实现Z向光谱扫描;分光光谱仪用于分离不同波长的拉曼信号;共聚焦针孔或狭缝作为空间滤波器,滤除聚焦平面以外的杂散信号;CCD探测器用于不同波长的拉曼信号强度读出,输出拉曼光谱;光谱分析软件用于拉曼光谱观察、峰型拟合和峰强数据的提取。包含以下步骤:

(1)设置共聚焦针孔或狭缝的直径或宽度≤200μm,保证共聚焦拉曼光谱仪的Z向空间分辨能力;

(2)选择40-60倍长工作距离物镜,数值孔径0.4≤NA≤0.65,设置光谱扫描范围覆盖碳化硅的LOPC峰;

(3)聚焦碳化硅样品表面,调整样品台位置Z直到表面清晰且激光光斑最小,设置此时样品台位置Z=0μm,记为Z0,进行单点拉曼光谱测试,调整积分时间,保证单点拉曼光谱的信噪比;

(4)保持上述步骤中设置的共聚焦针孔或狭缝、物镜、光谱扫描范围以及积分时间不变,先采用较大大步长进行不同深度的拉曼光谱采集,选择此时LOPC峰强取到最大值的样品台位置作为第一次估计值Zm,根据Zm确定为进行较小步长扫描的范围,获得不同深度的拉曼光谱。

(5)对步骤(4)小步长扫描获得的不同深度的拉曼光谱中LOPC峰按照如下高斯-洛伦兹拟合公式进行峰型拟合,其中:x表示拉曼位移;y表示当前拉曼位移对应的光子数;y0为基线强度;A为LOPC峰强,w为半高宽,xc为峰位,s为洛伦兹和高斯峰型的比例系数,拟合后获得不同深度的LOPC峰强A:

(6)以样品台位置Z为横坐标,LOPC峰强A作为纵坐标作图,找到LOPC峰强取到最大值的样品台位置Zmax,Z0-Zmax即为样品外延层的厚度。

2.根据权利要求1所述的共聚焦拉曼光谱深度检测方法,其特征在于,选择共聚焦针孔或狭缝的直径或宽度≤200μm。

3.根据权利要求1所述的共聚焦拉曼光谱深度检测方法,其特征在于,采用较大大步长进行不同深度的拉曼光谱采集时,步长为3-5μm。

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