[发明专利]集成电路单元及包括该集成电路单元的电子设备

权利要求书

1.一种集成电路单元，包括：

依次叠置在衬底上的用于第一器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层以及用于第二器件的第一源/漏层、沟道层和第二源/漏层，其中，在第一器件中，沟道层包括彼此分离的第一部分和第二部分，第一源/漏层和第二源/漏层分别一体延伸且与沟道层的第一部分和第二部分二者交迭；

绕第一器件的沟道层的第一部分和第二部分的外周形成的第一栅堆叠；以及

绕第二器件的沟道层的外周形成的第二栅堆叠，

其中，各源/漏层和沟道层中至少一对相邻的层的上下的半导体材料不同，

其中，第二器件的第一源/漏层的外周与第一器件的第二源/漏层的外周重合，

其中，第二器件的第一源/漏层、第一器件的第二源/漏层各自包括位于第一器件的沟道层的第一部分上方的第一主体部分、位于第一器件的沟道层的第二部分上方的第二主体部分以及第一主体部分和第二主体部分之间的连接部分，

其中，第二器件的第一源/漏层、第一器件的第二源/漏层各自的第一主体部分的外周相对于第一器件的沟道层的第一部分的外周平行地延伸，第二器件的第一源/漏层、第一器件的第二源/漏层各自的第二主体部分的外周相对于第一器件的沟道层的第二部分的外周平行地延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路单元，其中，

所述第一器件是p型器件，所述第二器件是n型器件，或者

所述第一器件是n型器件，所述第二器件是p型器件。

3.根据权利要求1所述的集成电路单元，其中，第二器件的沟道层与第一器件的沟道层的第一部分和第二部分之一在竖直方向上对准。

4.根据权利要求3所述的集成电路单元，其中，

第一器件的第二源/漏层、第二器件的第一源/漏层相对于第二器件的第二源/漏层向着第一器件的沟道层的第一部分和第二部分中另一个的上方伸出，

第一栅堆叠和第二栅堆叠相对于第二器件的第二源/漏层向着与第一器件的第二源/漏层、第二器件的第一源/漏层的伸出方向相反的方向伸出。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路单元，其中，第二器件的第一源/漏层在第一器件的第二源/漏层的整个上表面上延伸。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路单元，其中，第二器件的沟道层与第二栅堆叠共面。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路单元，其中，第一器件的沟道层的第一部分和第二部分与第一栅堆叠共面。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的集成电路单元，其中，第一器件和第二器件分别是不同导电类型的器件，所述集成电路单元还包括：

与第二器件的第二源/漏层形成电接触的第一接触部；

与第一器件的第二源/漏层和第二器件的第一源/漏层形成电接触的的第二接触部；

与第一器件的第一源/漏层形成电接触的第三接触部；以及

与第二栅堆叠和第一栅堆叠形成电接触的第四接触部。

9.根据权利要求8所述的集成电路单元，其中，

第一接触部位于第二器件的第二源/漏层上方并延伸到第二器件的第二源/漏层；

第二接触部位于第二器件的第一源/漏层上方并延伸到第二器件的第一源/漏层；

第三接触部位于第一器件的第一源/漏层上方并延伸到第一器件的第一源/漏层；以及

第四接触部位于第二栅堆叠和第一栅堆叠上方并延伸到第二栅堆叠和第一栅堆叠。