[发明专利]单光子发射断层成像装置

权利要求书

1.一种单光子发射断层成像装置，其特征在于，包括：多个探测器层，所述多个探测器层包括沿光子运动方向排布的至少两个探测器层，所述至少两个探测器层包括沿光子运动方向在前的探测器层和在后的探测器层，所述在前的探测器层包括闪烁晶体阵列和硅光电倍增器件。

2.根据权利要求1所述的单光子发射断层成像装置，其特征在于，所述闪烁晶体阵列包括呈阵列排布的多个闪烁晶体，每个闪烁晶体包括多个拼接的闪烁晶体条；每个所述闪烁晶体条具有多个端面，一个或多个所述硅光电倍增器件耦合在一个或多个所述闪烁晶体条的任意一个或多个所述端面上，与所述闪烁晶体条形成固定的相对位置关系，或一或多个所述硅光电倍增器件与所述闪烁晶体条分立设置。

3.根据权利要求1所述的单光子发射断层成像装置，其特征在于，所述在后的探测器层包括闪烁晶体阵列，所述闪烁晶体阵列包括呈阵列排布的多个闪烁晶体，每个闪烁晶体包括一个或多个闪烁晶体条，所述在后的探测器层的硅光电倍增器件包括一个或多个硅光电倍增器件SiPM，所述一个或多个闪烁晶体条选择性的与所述一个或多个硅光电倍增器件SiPM连接。

4.根据权利要求1所述的单光子发射断层成像装置，其特征在于，所述的硅光电倍增器件的材质已知，对光子的衰减和吸收系数已知，伽马光子在穿过所述在前的探测器层时，选择性的穿过一个或多个所述闪烁晶体条，和/或选择性的穿过一个或多个所述硅光电倍增器件。

5.根据权利要求1所述的单光子发射断层成像装置，其特征在于，从成像区域不同位置发出的所述光子，在到达至少一所述闪烁晶体条之前，所经过的所述硅光电倍增器件的数目和/或硅光电倍增器件的有效光程不同。

6.根据权利要求1所述的单光子发射断层成像装置，其特征在于，所述在前的探测器层与所述在后的探测器层之间的间距大于或等于1mm。