[发明专利]一种产生单一手性近场的结构及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010840366.5 申请日: 2020-08-20
公开(公告)号: CN111929754A 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 中山科立特光电科技有限公司
主分类号: G02B5/00 分类号: G02B5/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 528458 广东省中山市中山火炬开发区中心城区港*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 产生 单一 手性 近场 结构 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种产生单一手性近场的结构,其特征在于,包括基底和多个手性近场单元,所述多个手性近场单元呈周期排列设置在所述基底上;手性近场单元包括金属底板、第一金属侧板和第二金属侧板,所述金属底板设置于所述基底上,所述第一金属侧板和所述第二金属侧板设置于所述金属底板上,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间具有间隙。

2.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板平行并垂直设置于所述金属底板上,所述第一金属侧板、所述第二金属侧板与所述间隙组成长方体结构。

3.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板的上方均设置有二维材料层。

4.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板靠近所述金属底板的一端与所述第二金属侧板靠近所述金属底板的一端之间的距离小于所述第一金属侧板的另一端与所述第二金属侧板的另一端之间的距离。

5.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板和所述第二金属侧板与所述金属底板之间均设置有热膨胀层。

6.根据权利要求5所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述基底上设置有热膨胀材料,所述热膨胀材料设置在各所述近手性场单元之间。

7.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,位于所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间的金属底板部分上方设置有磁致伸缩材料,所述磁致伸缩材料上方还设置有荧光分子。

8.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板之间的距离为2-60nm,所述金属底板的厚度大于20nm。

9.根据权利要求1所述的产生单一手性近场的结构,其特征在于,所述第一金属侧板与所述第二金属侧板均为贵金属材料。

10.一种产生单一手性近场的结构的制备方法,其特征在于,制备权利要求1至9任一项权利要求所述的结构,方法包括:

在基底上旋涂光刻胶;

在光刻胶上刻蚀条形孔;

在基底上蒸镀手性近场单元;具体为:使用电子束蒸发镀膜仪在基底上垂直蒸镀金属底板;倾斜电子束极化角蒸镀第一金属侧板;保持极化角不变,旋转方向角蒸镀第二金属侧板;

去除光刻胶。

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