[发明专利]一种半导体封装件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，其特征在于，包括：

基板，所述基板上设置有第一布线层和第二布线层，所述第一布线层和所述第二布线层分置于所述基板相背的两面；

所述第一布线层具有第一触点区、第二触点区及第三触点区，所述第一触点区连接有第一芯片，第一触点区的触点与所述第二触点区的触点对应电连接，所述第三触点区与所述第二布线层电连接；在所述第二触点区和所述第三触点区的各触点均电连接导电柱；

所述第二布线层具有第四触点区及第五触点区，所述第四触点区连接有第二芯片，所述第四触点区的触点与所述第五触点区的触点对应电连接，且所述第五触点区与所述第一布线层的第三触点区电连接；

包覆所述第一芯片及所述各导电柱的第一封装层，所述第一封装层暴露所述导电柱的背离基板的端面；

形成于第一封装层上的再布线金属层，所述再布线金属层其中一面的触点与所述导电柱一一对应电连接，另一面的各触点分别连接接触件。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，还包括包覆所述第二芯片的第二封装层。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述导电柱竖直分布于所述基板的第一布线层的第二触点区和第三触点区。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第一芯片为逻辑芯片，所述第一芯片倒装于所述基板的第一布线层的第一触点区。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述第二芯片为存储器芯片，所述第二芯片正装于所述基板的第二布线层的第四触点区。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其特征在于，所述接触件为焊球或导电柱。

7.一种如权利要求1~6任一项所述的半导体封装件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在基板上分别形成第一布线层和第二布线层，所述第一布线层和所述第二布线层分置于所述基板相背的两面，其中，所述第一布线层具有第一触点区、第二触点区及第三触点区，所述第一触点区的触点与所述第二触点区的触点对应电连接，所述第三触点区与所述第二布线层电连接；所述第二布线层具有第四触点区及第五触点区，所述第四触点区的触点与所述第五触点区的触点对应电连接，所述第五触点区与所述第一布线层的第三触点区电连接；

在第一触点区设置第一芯片；

在第二触点区和第三触点区设置导电柱，各所述导电柱与所述第二触点区和所述第三触点区的各触点均一一对应电连接；

在所述基板的第一布线层形成包覆所述第一芯片和导电柱的第一封装层，并使所述第一封装层暴露所述导电柱的背离基板的端面；

在第四触点区设置第二芯片；

在所述第一封装层上形成再布线金属层，再布线金属层其中一面的触点与所述导电柱一一对应电连接；

在所述再布线金属层的另一面的各触点形成接触件。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在第四触点区设置第二芯片之后且在所述第一封装层上形成再布线金属层之前，还包括：

在所述基板的第二布线层形成包覆所述第二芯片的第二封装层。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述导电柱以垂直互联方式形成于所述基板的第一布线层的第二触点区和第三触点区。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，使所述第一封装层暴露所述导电柱的背离基板的端面包括：

减薄所述第一封装层的上端面，使所述导电柱的背离基板的端部暴露于所述第一封装层的上端面。