[发明专利]交流检测电路

权利要求书

1.一种交流检测电路，用于检测交流电源对于负载的供电状态，其特征在于，包括：

火线输入端和零线输入端；

阳极相互连接的第一二极管和第二二极管，所述第一二极管和所述第二二极管为齐纳管，所述第二二极管的阴极接地；

第一电阻，其一端连接所述火线输入端，另一端连接所述第一二极管的阴极；

第二电阻，其一端连接所述零线输入端，另一端连接所述第二二极管的阴极；

整流模块，其连接所述火线输入端和所述零线输入端；

电源，其用于向所述交流检测电路供电；

电流镜模块，其具有输入端、第一输出端和第二输出端，所述输入端连接所述电源，所述第一输出端和所述第二输出端所输出的电流值具有固定比例；

单向导通模块，其用于使电流从所述电流镜模块的第一输出端单向导通至所述第一二极管的阴极；

电流比较模块，其用于将所述电流镜模块的第二输出端的电流值与基准电流值进行比对并输出比对结果；所述电流比较模块包括：振荡器、计时器、电流比较器和基准电流源；所述振荡器用于产生周期性的振荡信号，作为所述计时器的时钟信号；所述电流比较器具有第一输入端、第二输入端和输出端，所述电流比较器的第一输入端连接所述电流镜模块的第二输出端，所述电流比较器的第二输入端连接所述基准电流源，所述电流比较器的输出端连接所述计时器；所述电流比较器将所述电流镜模块的第二输出端的电流值与所述基准电流源的基准电流值进行比对，并输出比对结果信号；所述计时器设有计时值，所述计时值大于所述交流电源的交流电周期的1/2，在所述比对结果信号维持所述计时值时间后输出所述比对结果信号。

2.根据权利要求1所述的交流检测电路，其特征在于，所述单向导通模块包括：

NMOS管，其漏极连接所述电流镜模块的第一输出端，源极连接所述第一二极管的阴极；

放大器，其具有第一输入端、第二输入端和输出端；所述放大器的第一输入端连接基准电压源，所述放大器的第二输入端连接所述NMOS管的源极，所述放大器的输出端连接所述NMOS管的栅极。

3.根据权利要求2所述的交流检测电路，其特征在于，所述电流镜模块包括：栅极相互连接的第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极连接所述电源，所述第一PMOS管的漏极连接所述电流镜模块的第一输出端以及所述第一PMOS管的栅极，所述第二PMOS管的漏极连接所述电流镜模块的第二输出端。

4.根据权利要求3所述的交流检测电路，其特征在于，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的沟道宽长比的比值为1:m。

5.根据权利要求4所述的交流检测电路，其特征在于，当所述火线输入端和所述零线输入端之间无交流电压，且所述负载的阻抗Rx满足如下条件时，所述计时器输出高电平信号：

上式中，M为所述电流镜模块的第二输出端与第一输出端的输出电流的比值，Vref为所述基准电压源的电压值，Iref为所述基准电流源的电流值，R1为第一电阻的电阻值，R2为第二电阻的电阻值。

6.根据权利要求3所述的交流检测电路，其特征在于，所述第一二极管和所述第二二极管的反向击穿电压与正向导通电压满足如下条件：

V_Z+V_DVref

上式中，V_Z为所述第一二极管和所述第二二极管的反向击穿电压，V_D为所述第一二极管和所述第二二极管的正向导通电压，Vref为所述基准电压源的电压值。

7.根据权利要求1所述的交流检测电路，其特征在于，所述整流模块包括：

第三二极管，其阴极连接所述火线输入端，阳极接地；

第四二极管，其阴极连接所述零线输入端，阳极接地。

8.根据权利要求7所述的交流检测电路，其特征在于，所述第三二极管和所述第四二极管的反向击穿电压高于所述交流电源的峰值电压。

9.根据权利要求1所述的交流检测电路，其特征在于，所述整流模块包括桥堆器件和第二负载；所述桥堆器件包括：第五二极管、第六二极管、第七二极管和第八二极管；所述第二负载的一端连接所述第五二极管和所述第六二极管的阳极，另一端连接所述第七二极管和所述第八二极管的阴极；所述第五二极管的阴极连接所述第七二极管的阳极以及所述火线输入端；所述第六二极管的阴极连接所述第八二极管的阳极以及所述零线输入端。