[发明专利]一种可见光通信LED阵列及其制备方法

权利要求书

1.一种可见光通信LED阵列，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的M个间隔的LED结构，M＞2，所述LED结构包括：台面结构以及位于所述台面结构上的n电极和p电极；

位于所述衬底和所述台面结构上的互连线，所述互连线连接于所述M个LED结构中其中一个LED结构的p电极和另一个LED结构的n电极之间；

位于所述互连线上的绝缘保护层；以及

贯穿所述绝缘保护层的焊点窗口，以暴露出部分所述互连线作为焊点，所述焊点与所述LED结构串联。

2.根据权利要求1所述的LED阵列，其特征在于，每个LED结构还包括：

第一柱状结构，以及位于所述第一柱状结构下方，并且与所述第一柱状结构相堆叠的第二柱状结构；

其中，所述第一柱状结构由上至下依次包括电流扩展层、p型层、电子阻挡层以及有源层；所述第二柱状结构由上至下依次包括n型层与缓冲层；所述第一柱状结构的顶部形成第一台面结构，所述第二柱状结构上表面的四周形成第二台面结构，所述p电极位于所述第一台面结构上，所述n电极位于所述第二台面结构上。

3.根据权利要求2所述的LED阵列，其特征在于，所述n电极为环形或扇形，所述n电极环绕所述第二台面结构设置，所述p电极为环形或扇形。

4.根据权利要求2所述的LED阵列，其特征在于，所述第一柱状结构沿垂直于所述第一柱状结构轴线方向的截面形状为圆形或开口环形。

5.根据权利要求2所述的LED阵列，其特征在于，所述第二柱状结构沿垂直于所述第二柱状结构轴线方向的截面形状为圆形，所述圆形的直径小于等于150微米，任意两个第二柱状结构之间的间距大于等于70微米且小于等于200微米。

6.根据权利要求1所述的LED阵列，其特征在于，可见光通信LED阵列还包括：

覆盖于所述衬底和所述LED结构上的绝缘层，所述绝缘层开设有与所述n电极和p电极的形状相匹配的电极窗口，所述互连线位于所述绝缘层上，所述绝缘层用于使所述衬底与所述互连线绝缘。

7.根据权利要求1所述的LED阵列，其特征在于，所述多个LED结构在所述衬底上间隔排布成A×B的阵列，其中，A与B均为正整数。

8.一种可见光通信LED阵列的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成M个间隔的台面结构，其中，M＞2；

沉积绝缘层，并在每个台面结构上开设电极窗口；

沉积导电材料，在所述电极窗口形成n电极与p电极，以得到M个间隔的LED结构，以及在所述衬底与所述台面结构上形成互连线，所述互连线连接于所述M个LED结构中其中一个LED结构的p电极和另一个LED结构的n电极之间；

在所述互连线表面形成绝缘保护层；

对所述绝缘保护层的指定位置进行刻蚀形成焊点窗口，以暴露出部分所述互连线作为焊点，所述焊点与所述LED结构串联。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述在衬底上形成M个间隔的台面结构，包括以下步骤：

在衬底上依次外延生长缓冲层、n型层、有源层、电子阻挡层以及p型层，并在所述p型层的顶部形成电流扩展层；

对所述电流扩展层、p型层、电子阻挡层以及有源层进行刻蚀，直至所述n型层的上表面，以在所述n型层的上表面形成多个间隔排布的第一柱状结构；

对所述n型层与缓冲层进行刻蚀，直至所述衬底的上表面，以在每个第一柱状结构下方形成与所述第一柱状结构相堆叠的第二柱状结构，所述第一柱状结构的顶部形成第一台面结构，所述第二柱状结构上表面的四周形成第二台面结构。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，在所述第一台面结构上开设p电极窗口，在所述第二台面结构上开设n电极窗口，所述n电极窗口环绕所述第二台面结构设置。