[发明专利]一种基于双极性SnOX

权利要求书

1.一种基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述晶硅太阳电池采用了x≤1.8的双极性的SnO_x作为空穴选择性接触材料，又采用了x≥1.9的SnO_x作为电子选择性接触材料。

2.如权利要求1所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于可直接采用x≤1.8的双极性的SnO_x作为空穴选择性接触材料，采用x≥1.9的SnO_x作为电子选择性接触材料；也可以在硅片和载流子选择性接触材料SnO_x之间插入钝化材料，所述钝化材料为本征非晶硅(i-a-Si:H)、本征非晶硅氧合金、非晶硅氮合金、氧化硅(SiO_x)、三氧化二铝中的一种或者两种及其以上的叠加组合。

3.如权利要求1所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于衬底选用n型、p型的单晶或多晶硅片，硅片形貌为双面抛光、单面抛光或双面制绒。

4.如权利要求1所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述晶硅太阳电池为双面受光电池或单面受光电池。

5.如权利要求4所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述的双面受光电池中，电池两面均采用透明导电氧化物(TCO)和金属栅线作为电极；单面受光电池中，电池受光面采用透明导电氧化物(TCO)和金属栅线作为电极，背光面采用全面金属作为电极。

6.如权利要求1所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于通过调控Sn和O元素的比例，即x值，分别获得x≤1.8的对空穴具有选择性的SnO_x接触材料和x≥1.9的对电子具有选择性的SnO_x接触材料，厚度为5-40nm。

7.如权利要求6所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述的调控Sn和O元素的比例通过原子层沉积、蒸发、磁控溅射、反应等离子体沉积、化学合成后旋涂的制备方法实现。

8.如权利要求7所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述的原子层沉积法调控Sn和O元素的比例，通过控制锡源和氧源载气流量，吸附、清洗时间以及后续热处理的方法实现。

9.如权利要求7所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述的蒸发、磁控溅射或反应等离子体沉积法调控Sn和O元素的比例，通过改变蒸发源、靶材的Sn和O元素比例和沉积过程中氧气流量，以及后续热处理的方法实现。

10.如权利要求7所述的基于双极性SnO_x的晶硅太阳电池，其特征在于所述的化学合成后旋涂调控Sn和O元素的比例的方法是，化学合成SnO_x过程中改变锡源和氧源比例，煅烧温度的方法来实现。